类型: LPDDR3 SDRAM
　　容量: 1GB
　　电压: 1.2V / 1.8V
　　封装: BGA
　　速度: 400MHz / 800Mbps
　　数据宽度: 32位
　　工作温度: -40°C 至 +85°C

H8BCS0UM0MER-4EM 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，专为移动设备和便携式电子产品设计。该芯片基于LPDDR3标准，支持在1.2V和1.8V两种电压下运行，从而在性能和功耗之间取得良好的平衡。其工作频率为400MHz，等效数据速率为800Mbps，能够提供较高的数据吞吐能力，满足现代移动设备对内存性能的需求。
　　该芯片采用32位数据宽度的配置，使得其在数据处理方面具有较高的效率。同时，其BGA封装形式不仅提供了良好的散热性能，还能够节省PCB空间，适用于紧凑型设备的设计。此外，H8BCS0UM0MER-4EM 的工作温度范围为-40°C至+85°C，确保了其在各种环境条件下都能稳定运行。
　　这款DRAM芯片还支持多种节能模式，包括自刷新模式和深度掉电模式，能够在设备不活跃时显著降低功耗，延长电池寿命。其内部设计还包括自动刷新和自刷新功能，确保数据的稳定性和可靠性。

H8BCS0UM0MER-4EM 广泛应用于移动设备和嵌入式系统，例如智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、智能穿戴设备以及车载信息娱乐系统等。由于其低功耗和高性能的特性，该芯片特别适合用于需要长时间运行且对电池寿命有较高要求的设备。此外，它也可用于一些需要快速数据处理的工业控制系统和物联网（IoT）设备。

ELP8116A0CA-4D-F, MT48LC16M1A2B4-6A, K4B2G1646Q-HCK0