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H8BCS0TM0MER-4EM 发布时间 时间:2025/9/2 8:35:37 查看 阅读:20

H8BCS0TM0MER-4EM 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款芯片属于高密度存储器,专为高性能计算和数据存储需求设计。它广泛应用于计算机主板、服务器、嵌入式系统以及其他需要大容量内存的电子设备中。H8BCS0TM0MER-4EM 采用先进的制造工艺,提供高速数据访问和较低的功耗,适用于现代电子系统对内存性能的高要求。

参数

容量:1GB
  类型:DRAM
  封装类型:FBGA
  数据速率:1600Mbps
  电压:1.35V / 1.5V
  接口类型:x16
  工作温度范围:0°C 至 85°C
  封装尺寸:54-ball FBGA
  时钟频率:800MHz
  列地址选通(CAS)延迟:CL=11

特性

H8BCS0TM0MER-4EM 是一款具有高性能和低功耗特性的DRAM芯片,适用于多种电子设备。该芯片采用了先进的制造工艺,使其在保持高速数据传输的同时,还能有效降低功耗。这种低功耗特性对于提高设备的能效和延长电池寿命尤为重要,特别是在移动设备和嵌入式系统中。此外,H8BCS0TM0MER-4EM 还具有良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内可靠运行,从0°C到85°C,使其适用于各种恶劣环境下的应用。
  该芯片的x16接口设计允许其在多通道内存架构中使用,从而进一步提升数据带宽和系统性能。此外,其1600Mbps的数据速率和800MHz的时钟频率使其能够支持高速数据访问,满足高性能计算和实时数据处理的需求。该芯片还支持自动刷新和自刷新功能,以确保数据的完整性和可靠性,同时减少了外部控制器的负担。
  在封装方面,H8BCS0TM0MER-4EM 采用54-ball FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装,这种封装形式具有较小的体积和较高的引脚密度,适合高密度PCB布局和小型化设计。此外,FBGA封装还具有良好的电气性能和散热能力,有助于提高芯片的稳定性和可靠性。

应用

H8BCS0TM0MER-4EM 广泛应用于多种电子设备和系统中,尤其是在对内存性能有较高要求的场景。该芯片常用于个人计算机、服务器和工作站,作为主存储器来支持操作系统和应用程序的高效运行。由于其高速数据传输能力和低功耗特性,它也非常适合用于嵌入式系统,如工业控制设备、网络设备和通信设备。此外,该芯片还可用于消费类电子产品,如智能电视、游戏机和高端平板电脑,以提升设备的整体性能和用户体验。
  在服务器和数据中心应用中,H8BCS0TM0MER-4EM 可以通过多通道内存架构实现更高的内存带宽,从而提升服务器的处理能力和响应速度。同时,其低电压设计有助于降低服务器的整体功耗,减少能源消耗和散热需求。此外,该芯片的高可靠性和宽温度范围特性也使其适用于户外设备和工业环境中的应用,例如监控系统、自动化控制设备和车载电子系统。

替代型号

H8BCS0TM0MER-4SM
  H8BCS0TM0MER-5NM
  H8BCS0TM0MER-6NM

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