时间：2025/9/2 6:59:29
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H8BCS0QG0MMR-46MR 是由SK Hynix生产的一款高性能、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。它属于移动设备用LPDDR4X SDRAM类别，广泛用于智能手机、平板电脑和其他对功耗敏感的便携式电子设备中。该型号的DRAM模块具备高数据传输速率和紧凑的封装尺寸，适用于需要高效能内存的现代移动计算平台。
容量：8GB（64Gbit）
类型：LPDDR4X SDRAM
封装类型：BGA（球栅阵列）
工作电压：1.1V
时钟频率：2133MHz
数据速率：4266Mbps
行地址位数：A0-A15
列地址位数：A0-A9
数据总线宽度：16位
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装尺寸：根据具体封装类型可能有所不同
H8BCS0QG0MMR-46MR 采用LPDDR4X技术，提供更高的数据传输速率和更低的功耗。该芯片支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式和自刷新模式，以延长移动设备的电池寿命。其紧凑的封装形式适合空间受限的应用场景。此外，这款DRAM芯片具备高可靠性，适用于严苛的工业和消费类应用环境。
在性能方面，H8BCS0QG0MMR-46MR 支持高达4266Mbps的数据速率，能够在高频下稳定运行，满足高端移动设备对快速数据处理的需求。它还具备出色的信号完整性设计，以减少信号干扰并提高数据传输的稳定性。芯片内部集成纠错机制，有助于提升系统稳定性与数据完整性。
此DRAM模块还支持命令和地址信号的校准功能，确保系统在高频率运行下的兼容性和稳定性。其内部温度传感器可帮助系统根据温度变化调整操作参数，从而优化功耗和散热性能。
H8BCS0QG0MMR-46MR 主要应用于高性能智能手机、平板电脑、超薄笔记本电脑（如Chromebook）以及需要高带宽内存的嵌入式系统。此外，该芯片也可用于工业级设备、汽车信息娱乐系统和高级图形处理模块。
H8BCS0QG0MMR-46MR的替代型号包括三星的LPDDR4X内存芯片，例如K3UH60AM03-A426和美光的DRAM芯片如MT58LC128A2B4-4S。
