ESDBW712C2 时间：2025/8/16 21:12:25 阅读：7

ESDBW712C2 是一款由 Efficient Power Conversion (EPC) 公司生产的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），适用于高效率、高频功率转换应用。与传统的硅基MOSFET相比，ESDBW712C2 采用了宽禁带半导体技术，具有更低的导通电阻、更快的开关速度和更高的工作温度耐受能力。该器件通常用于电源转换器、DC-DC变换器、服务器电源、电信电源系统和无线充电等高性能功率应用。

参数

类型：氮化镓场效应晶体管（GaN FET）
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：50A
　　导通电阻（RDS(on)）：12mΩ
　　栅极电荷（QG）：10nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：BGA（球栅阵列）
　　最大工作频率：1MHz以上
　　热阻（RθJC）：1.2°C/W

特性

ESDBW712C2 的核心优势在于其采用的氮化镓（GaN）技术，使得该器件在高频开关应用中表现出卓越的性能。其低导通电阻（仅12mΩ）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，由于GaN材料的优异热性能，该器件能够在较高的温度下稳定运行，增强了系统在高负载条件下的可靠性。
　　该器件的封装采用BGA形式，有助于降低封装电感，提高高频开关性能，同时提供良好的散热能力。ESDBW712C2 还具备较低的栅极电荷（QG），使得开关损耗进一步降低，从而支持更高频率的功率转换，适用于高密度、轻薄化的电源设计。
　　此外，ESDBW712C2 具备良好的热管理和过热保护特性，适用于高功率密度和高可靠性要求的应用场景。该器件还具有极低的反向恢复电荷（Qrr），使得在同步整流和桥式拓扑结构中能够有效减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。