H8BCS0QEOMMR-4EM 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于高密度、高性能的DRAM产品系列,专为满足工业级和商业级应用对存储容量和速度的需求而设计。该芯片通常用于服务器、网络设备、嵌入式系统以及其他需要大容量内存的电子设备中。
类型:DRAM
容量:4GB
封装类型:FBGA
数据速率:1600Mbps
电压:1.35V / 1.5V(支持低电压运行)
组织结构:x16
工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
时钟频率:800MHz
数据宽度:16位
封装尺寸:9mm x 13mm
制造工艺:50nm
接口类型:JEDEC标准接口
H8BCS0QEOMMR-4EM 是一款高性能的DRAM芯片,采用了先进的制造工艺和低功耗设计,能够在高速运行的同时保持较低的能耗。其工作电压为1.35V或1.5V,支持低电压运行模式,适用于需要节能和延长设备寿命的应用场景。该芯片具备x16的数据组织结构,能够提供16位宽的数据总线,提高数据传输效率。此外,其支持1600Mbps的数据速率和800MHz的时钟频率,使得该芯片在需要高速数据处理的应用中表现出色。该芯片采用FBGA(细间距球栅阵列)封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,适用于高密度PCB布局和复杂的电子系统。其工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级标准,能够在恶劣环境中稳定运行。
该芯片还支持多种刷新模式,包括自动刷新和自刷新,能够有效延长数据保存时间,降低系统功耗。同时,其内置的突发长度控制功能可以根据应用需求调整数据传输的突发长度,提升系统灵活性。H8BCS0QEOMMR-4EM 还支持温度补偿自刷新(TCSR)和动态ODT(终端电阻)功能,确保在不同工作条件下保持稳定的信号完整性。此外,该芯片的设计符合JEDEC标准,能够与多种标准内存控制器兼容,简化了系统设计和集成过程。
H8BCS0QEOMMR-4EM 广泛应用于各种需要高性能和大容量内存的电子设备中,包括服务器、网络交换机、路由器、工业控制设备、嵌入式系统、视频监控设备、存储设备以及高性能计算设备。由于其支持低电压运行和多种节能特性,特别适用于对功耗敏感的移动设备和便携式电子产品。在服务器和数据中心应用中,该芯片能够提供高速、稳定的数据访问能力,满足大数据处理和云计算的需求。在工业自动化和控制系统中,它能够支持复杂的数据采集和处理任务,提高系统的响应速度和稳定性。此外,该芯片也适用于消费类电子产品,如智能电视、机顶盒、游戏机等,为其提供强大的内存支持。
H8BCS0QEOMMR-4EM 的替代型号包括:H8BCS0QEOMMR-4AM、H8BCS0QEOMMR-4EM0、H8BCS0QEOMMR-4EM5、H8BCS0QEOMMR-4EME、H8BCS0QEOMMR-4EMR