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H8BCS0PG0MBP-56M 发布时间 时间:2025/9/2 0:25:38 查看 阅读:7

H8BCS0PG0MBP-56M 是一款由Hynix(现为SK hynix)制造的高性能、低功耗的DRAM芯片。这款芯片属于DDR3 SDRAM类别,通常用于需要高速数据处理的电子设备中,如嵌入式系统、工业控制设备以及网络设备。其设计兼顾了存储容量和访问速度的需求,适用于多种高端应用场景。

参数

型号:H8BCS0PG0MBP-56M
  类型:DRAM
  内存类型:DDR3 SDRAM
  容量:256MB
  数据速率:800MHz(等效于PC3-6400)
  电压:1.5V(标准)
  封装类型:BGA
  引脚数量:54pin
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  数据宽度:16位
  时钟频率:400MHz
  访问时间:5.4ns
  刷新周期:64ms

特性

H8BCS0PG0MBP-56M是一款高性能的DDR3 SDRAM芯片,具有低电压和低功耗的特点,适用于多种嵌入式和工业应用场景。其主要特性包括:
  1. **高速数据传输**:该芯片支持最高800MHz的数据速率(等效于PC3-6400),具有良好的数据吞吐能力,适用于需要快速访问内存的应用场景。其400MHz的时钟频率和5.4ns的访问时间确保了系统的响应速度和稳定性。
  2. **低功耗设计**:采用1.5V的标准工作电压,相比传统的DDR2 SDRAM,功耗更低,适用于对能耗敏感的设备,如便携式设备、电池供电系统以及工业控制设备。
  3. **高集成度**:该芯片提供256MB的存储容量,适用于需要中等容量内存的应用,如路由器、交换机、智能监控设备等。其16位的数据宽度设计可以满足多任务处理的需求。
  4. **工业级稳定性**:H8BCS0PG0MBP-56M支持-40°C至+85°C的工作温度范围,具有良好的耐久性和稳定性,适用于苛刻的工业环境,如工业自动化、嵌入式控制系统和车载电子设备。
  5. **标准封装**:该芯片采用54pin BGA封装形式,具有较小的体积和较高的可靠性,便于在空间受限的设备中使用,并提供良好的散热性能。
  6. **兼容性**:H8BCS0PG0MBP-56M与标准DDR3 SDRAM接口兼容,可与其他DDR3内存控制器配合使用,方便设计和集成到现有系统中。

应用

H8BCS0PG0MBP-56M主要用于需要高速内存访问和低功耗特性的设备中,如嵌入式系统、工业控制设备、网络设备(如路由器和交换机)、智能监控设备、车载电子系统以及工业自动化设备。由于其工业级工作温度范围,该芯片也适用于在极端环境下运行的设备。

替代型号

H8BCS0DG0MLB-56N
  MT48LC16M16A2B4-6A
  H8BCS0PG0MBP-56M的替代型号还包括其他品牌的DDR3 SDRAM芯片,例如Micron、Samsung和Winbond等提供的兼容型号。

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