时间：2025/9/2 4:55:13
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H8BCS0PE0MBR-46M-C是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、高性能存储器产品系列。该芯片通常用于需要高速数据访问和大容量存储的应用场景，例如嵌入式系统、工业控制设备、网络设备和消费电子产品。H8BCS0PE0MBR-46M-C采用先进的制造工艺，具有较低的功耗和较高的数据稳定性。其封装形式通常为TSOP（Thin Small Outline Package），适用于各种电子设备的设计和集成。
类型：DRAM
容量：256MB
数据总线宽度：16位
时钟频率：166MHz
电源电压：2.3V - 3.6V
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
H8BCS0PE0MBR-46M-C具备多项优良特性，包括高速数据访问能力、低功耗设计以及宽电压工作范围。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，确保数据在断电或低功耗状态下的完整性。其TSOP封装形式有助于提高电路板布局的灵活性，并降低电磁干扰（EMI）。此外，该DRAM芯片支持突发模式访问，可提高数据传输效率，适用于需要高性能存储解决方案的应用场景。
在可靠性方面，H8BCS0PE0MBR-46M-C通过严格的工业级测试，确保在恶劣环境条件下仍能保持稳定运行。该芯片的宽温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种工业和嵌入式应用。此外，该芯片采用CMOS工艺制造，具有较低的静态电流和动态功耗，适合对功耗敏感的设计需求。
H8BCS0PE0MBR-46M-C广泛应用于需要高速存储和大容量缓存的电子设备中，如嵌入式系统、工业控制设备、网络路由器和交换机、视频监控设备、手持终端设备以及消费类电子产品。其高性能和低功耗特性使其成为工业自动化控制和通信设备的理想选择。
H8BCS0PE0MBR-46M-C的替代型号包括H8BCS0PC0MBR-46M-A和H8BCS0PE0MBR-46M-A，这些型号在性能和封装方面具有相似的特性，可根据具体应用需求进行选择。
