H8BCS0PE0MBR-46 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高密度存储解决方案,广泛用于需要高性能和高存储容量的电子设备中,例如个人电脑、服务器、图形加速卡以及其他嵌入式系统。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺,具备出色的稳定性和可靠性,适用于多种应用场景。
类型:DRAM
容量:8Gb
封装:168-ball FBGA
电压:1.8V - 3.3V
接口类型:并行
工作温度:-40°C至85°C
数据速率:166MHz
组织方式:x16
H8BCS0PE0MBR-46 具备多项优良特性,使其在复杂的电子系统中表现出色。首先,该芯片采用168-ball FBGA封装技术,提供了出色的电气性能和散热能力,确保在高负载下仍能保持稳定运行。此外,其支持166MHz数据速率,使得数据传输效率更高,适用于对性能要求较高的系统。
该DRAM芯片的工作电压范围为1.8V至3.3V,具有良好的电压兼容性,可以在不同电源环境下正常工作。同时,其宽温工作范围(-40°C至85°C)也增强了其在极端温度条件下的可靠性,适用于工业级和汽车电子等对环境要求较高的应用。
另外,H8BCS0PE0MBR-46 采用x16组织方式,提供了高效的数据访问能力,特别适合需要大容量内存和高速处理的应用场景,如图形处理、网络设备和嵌入式控制系统。
H8BCS0PE0MBR-46 主要应用于需要高性能内存的电子系统中。其高容量和高速特性使其广泛用于服务器、网络交换设备、图形加速卡和工业控制设备等。此外,该芯片也适用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统、驾驶辅助系统(ADAS)以及车载导航系统等,满足这些系统对数据处理和存储的高要求。
在嵌入式系统中,H8BCS0PE0MBR-46 可作为主内存使用,支持复杂操作系统和应用程序的运行,提高系统的整体性能和响应速度。在消费电子领域,该芯片也可用于高端智能手机、平板电脑和智能电视等设备中,提供更流畅的用户体验。
由于其宽温范围和高可靠性,H8BCS0PE0MBR-46 还适用于军工、航空航天等特殊行业,确保在极端环境下的稳定运行。
HY57V561620FTP-6A, MT48LC16M16A2B4-6A, K4S641632K-TC10