H8050D 时间：2025/8/16 21:12:37 阅读：6

H8050D 是一款广泛应用于功率电子领域的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件以其高效率、快速开关特性以及较强的负载能力而著称，适用于各种需要高效能功率开关的电路设计中，如电源转换器、电机驱动、逆变器和LED驱动等。H8050D采用TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的热稳定性和可靠性，适合在工业控制和消费类电子中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：800V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：5A（在Tc=100℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：20A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.0Ω（在Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：75W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

H8050D MOSFET具有多个优异的电气和物理特性。首先，其高耐压特性（800V Vds）使其在高压应用中表现出色，适用于AC/DC转换器和高压开关电源。其次，H8050D的导通电阻较低，典型值为2.0Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，TO-252封装能够有效散热，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　该MOSFET的栅极驱动特性也较为友好，支持常见的10V驱动电压，这与许多标准驱动IC兼容，简化了电路设计。同时，其脉冲电流能力可达20A，适合用于需要瞬态大电流的应用，如电机启动或LED闪光驱动。
　　H8050D还具有较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下提供一定程度的保护，增强了器件在恶劣环境下的可靠性。此外，其封装形式符合RoHS环保标准，适用于无铅工艺制造流程。

应用

H8050D广泛应用于多种功率电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、LED驱动器、DC/AC逆变器、电机控制电路、充电器、电焊机和工业自动化设备。在LED驱动中，H8050D可用于恒流驱动拓扑，实现高效率和稳定输出；在逆变器中，其高压特性使其适合用于DC-Link侧的开关元件；在工业控制领域，H8050D可作为高侧或低侧开关，用于控制电机、继电器或其他高功率负载。
　　由于其封装形式紧凑，H8050D也适用于空间受限的设计场景，如便携式设备电源、智能家电和智能家居控制模块。