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H7N0308AB 发布时间 时间:2025/7/3 23:32:05 查看 阅读:7

H7N0308AB是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片,主要应用于功率转换和电源管理领域。该芯片具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能等特点,能够有效提高系统的效率和稳定性。
  这款器件采用先进的制造工艺,适用于多种工业和消费类电子设备中的电源管理模块。它通常被用作开关元件或负载驱动器,在诸如适配器、充电器、LED照明以及电机控制等应用中表现优异。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:15nC
  总电容:450pF
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

1. 低导通电阻设计,降低功耗并提升系统效率。
  2. 高开关速度,支持高频工作环境,减少磁性元件体积。
  3. 良好的热稳定性和抗静电能力,确保在恶劣环境下的可靠运行。
  4. 小型化封装,节省PCB空间,便于高密度布局。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中的开关元件。
  2. USB充电器及快充适配器的核心功率器件。
  3. LED驱动电路中的电流调节组件。
  4. 消费类电子产品中的负载切换和保护功能。
  5. 小型电机驱动和电池管理系统中的关键元件。

替代型号

IRF7409, AO3400A, FDN367P

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