类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：6A
　　导通电阻（RDS(on)）：@VGS=10V 时，最大 30mΩ；@VGS=4.5V 时，最大 50mΩ
　　功率耗散（PD）：1.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOT-23
　　输入电容（Ciss）：约 330pF（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：约 9nC（@VGS=10V）

H7N0302LMTP MOSFET 采用先进的沟槽结构设计，具有极低的导通电阻，能够在高电流条件下保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。
　　该器件在 VGS=10V 和 VGS=4.5V 两种驱动电压下均能保持良好的导通性能，适用于多种栅极驱动电路，尤其是在 5V 或更低电压供电的系统中表现优异。
　　其封装形式为 SOT-23，体积小巧，适合高密度 PCB 设计，同时具备良好的热稳定性。
　　此外，H7N0302LMTP 具有快速开关能力，可减少开关损耗，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC 转换器和负载开关电路。
　　该 MOSFET 还具有较高的耐用性和稳定性，能够在高温和高湿度环境下正常工作，确保系统长期运行的可靠性。

H7N0302LMTP 广泛应用于各类功率电子设备中，特别是在需要高效能、小型化设计的场合。典型应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、电源管理模块、LED 照明控制系统以及各类便携式电子产品中的功率开关。
　　由于其低导通电阻和优异的开关性能，该器件特别适合用于同步整流电路，提高转换效率，降低发热量。
　　在电机控制和电池管理系统中，H7N0302LMTP 可作为高效的功率开关元件，用于精确控制电流流向和大小。
　　此外，其小封装形式使其成为空间受限应用的理想选择，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和 IoT 设备中的电源管理电路。

Si2302DS, AO3400, FDN340P, BSS138K