类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：15A（在Tc=25℃时）
　　导通电阻(Rds(on))：最大6.2mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗(Pd)：100W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：SOP（表面贴装封装）

H7N0302LD 采用先进的沟槽式MOSFET技术，确保了极低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了能效。其最大导通电阻仅为6.2mΩ，使得在高电流条件下也能保持较低的功耗。该器件支持高达15A的连续漏极电流，适用于中高功率的应用场合。
　　此外，H7N0302LD 的栅极驱动电压范围为±20V，具备较强的抗干扰能力和稳定的开关性能。其100W的功率耗散能力配合良好的热设计，使得该器件能够在较高的工作温度下稳定运行。封装方面，采用SOP封装形式，便于自动化生产及良好的空间利用率，适合高密度PCB布局。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，减少了开关过程中的能量损耗，有助于提高系统效率并减少散热需求。同时，其宽广的工作温度范围使其适用于各种恶劣环境，如工业控制、汽车电子等领域。

H7N0302LD 主要应用于各类电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电池管理系统。由于其低导通电阻和高电流承载能力，非常适合用于需要高效率和紧凑设计的电源模块。在工业自动化、通信设备、消费电子产品以及汽车电子中均有广泛应用。
　　具体而言，在DC-DC转换器中，H7N0302LD 可作为主开关器件，实现高效的电压转换；在电池管理系统中，可用于控制充放电路径，保护电池组免受过流或短路损害；在负载开关应用中，可作为高速开关实现对负载的精确控制；在电机驱动电路中，也可用于功率控制和换向操作。其高可靠性和良好的热性能也使其适用于高温环境下的工业控制设备。

Si4410BDY-T1-GE3, IRF7413PBF, FDS6680, AON6260