H5TS1G63BFR-12C 时间：2025/9/2 5:30:18 阅读：7

H5TS1G63BFR-12C 是由Hynix（现代半导体）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片主要用于嵌入式系统、网络设备、消费类电子产品等需要高性能内存的场景。作为一款常见的DRAM芯片，H5TS1G63BFR-12C 提供了稳定的数据存储和读写性能，并具有较高的可靠性和兼容性。该芯片封装形式为TSOP（薄型小外形封装），适合多种应用场景。

参数

类型：DRAM
　　容量：1Gb（128MB）
　　组织结构：x16
　　封装类型：TSOP
　　电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　时钟频率：166MHz
　　数据速率：166MHz
　　刷新周期：64ms
　　访问时间：5.4ns
　　封装尺寸：54-pin
　　数据总线宽度：16位

特性

H5TS1G63BFR-12C 采用了现代半导体的先进DRAM制造工艺，具有较低的功耗和较高的稳定性。其TSOP封装形式有助于提高散热性能和空间利用率，适用于多种嵌入式设备。该芯片的166MHz时钟频率和166MHz数据速率使其在处理高速数据传输时表现出色，适用于对性能有一定要求的应用场景。
　　此外，H5TS1G63BFR-12C 支持标准的DRAM功能，如自动刷新、自刷新模式和低功耗模式，有助于延长设备的电池寿命并减少系统功耗。其64ms的刷新周期确保了数据存储的可靠性，适合长时间运行的应用环境。
　　该芯片的工作温度范围为工业级（-40°C 至 +85°C），使其能够在较宽的温度范围内稳定运行，适用于户外设备和工业控制系统。其16位数据总线宽度和5.4ns的访问时间进一步提升了系统的数据处理能力，适合需要快速响应的应用场景。