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H5TQ4G83DFR-H9C 发布时间 时间:2025/9/2 1:46:07 查看 阅读:6

H5TQ4G83DFR-H9C 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高带宽存储器(HBM, High Bandwidth Memory)系列。这款芯片专为高性能计算、图形处理和人工智能应用设计,具备高带宽、低功耗和紧凑封装的特点。H5TQ4G83DFR-H9C 的容量为4GB,支持多堆叠结构,适用于需要大量数据吞吐能力的高端GPU、AI加速卡和超级计算机系统。

参数

容量:4GB
  类型:DRAM(HBM2)
  带宽:约256GB/s(每个堆叠)
  封装形式:3D堆叠封装
  电压:1.2V
  接口:HBM2接口
  温度范围:商业级(0°C至85°C)
  封装尺寸:根据HBM2标准定义
  数据速率:2.4Gbps/pin
  位宽:1024-bit
  堆叠层数:通常为4层或8层

特性

H5TQ4G83DFR-H9C 是一款HBM2(High Bandwidth Memory Generation 2)存储器芯片,采用先进的3D堆叠封装技术,将多个DRAM芯片垂直堆叠,通过硅通孔(TSV)技术实现高密度互连。这种结构显著提高了存储带宽,同时减少了封装体积,降低了功耗。HBM2的架构特别适合需要极高数据吞耗的应用场景,如高端图形处理、人工智能训练与推理、数据中心加速计算等。
  H5TQ4G83DFR-H9C 具备低电压运行能力(1.2V),有助于降低系统功耗并提高能效。此外,其1024位宽的接口设计大大提升了数据传输效率,远超传统GDDR5或DDR4内存。芯片内置的温度传感器和动态刷新机制确保了在高负载下的稳定运行。该芯片通常与GPU或AI加速芯片共同封装在同一个基板上,以进一步缩短信号路径,提高性能。

应用

H5TQ4G83DFR-H9C 主要用于需要高带宽内存的高性能计算设备。典型应用包括:高端显卡(如NVIDIA Tesla、AMD Radeon Instinct系列)、AI加速卡(如Google TPU、华为昇腾AI芯片)、深度学习训练服务器、高性能计算(HPC)系统、超大规模数据中心的加速计算模块、图形工作站以及虚拟现实(VR)和增强现实(AR)设备等。

替代型号

H5TQ8G64MFR-H9C

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