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IRFP21N60LPBF 发布时间 时间:2023/3/7 16:36:09 查看 阅读:622

    晶体管极性:N沟道

    电压, Vds 最大:600V

    开态电阻, Rds(on):0.32ohm

   

目录

概述

    晶体管极性:N沟道

    电压, Vds 最大:600V

    开态电阻, Rds(on):0.32ohm

    功耗:330W

    封装类型:TO-247AC

    功率, Pd:330W

    封装类型:TO-247AC

    体管类型:MOSFET

    热阻, 结至外壳 A:0.38°C/W

    电压 Vgs @ Rds on 测量:10V

    电压, Vds 典型值:600V

    电流, Id 连续:21A

    电流, Idm 脉冲:84A

    表面安装器件:通孔安装

    通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:320ohm

    阈值电压, Vgs th 典型值:5V


资料

厂商
VISHAY
Vishay Semiconductors

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IRFP21N60LPBF参数

  • 数据列表IRFP21N60LPBF
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C21A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C320 毫欧 @ 13A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs150nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4000pF @ 25V
  • 功率 - 最大330W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247-3
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFP21N60LPBF