制造商：SK Hynix
　　产品类型：DRAM
　　内存类型：LPDDR4
　　内存容量：4GB
　　数据速率：3200Mbps
　　工作电压：1.1V
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：151
　　内存总线宽度：16位
　　时钟频率：1600MHz
　　封装尺寸：128mm x 100mm

H5TQ4G83CMR-PBC属于低功耗DDR4内存芯片，适用于对电池续航有严格要求的便携式设备。其主要特点包括高效能、低电压运行以及紧凑的封装设计。
　　首先，这款芯片支持3200Mbps的数据传输速率，可以在高频下保持稳定的数据处理能力，满足高性能计算需求。此外，1600MHz的时钟频率确保了内存的高效运行，同时16位的内存总线宽度有助于提高数据吞吐量。
　　其次，该芯片的工作电压为1.1V，相比前代LPDDR3内存，功耗显著降低，这使得它非常适合用于智能手机、平板电脑以及其他电池供电设备。
　　第三，H5TQ4G83CMR-PBC采用了151引脚的FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装技术，这种封装方式不仅减小了芯片的体积，还提升了散热性能和电气性能，增强了系统的稳定性。
　　最后，这款内存芯片广泛支持多种先进的内存管理技术，如自动刷新、自刷新模式和深度掉电模式，进一步提升了能效和数据可靠性。

H5TQ4G83CMR-PBC广泛应用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统、工业计算机以及车载信息娱乐系统等领域。由于其高性能和低功耗特性，该芯片特别适合需要长时间运行和高性能数据处理的设备。例如，在智能手机中，该内存芯片可以有效支持多任务处理、高清视频播放和大型游戏运行；在工业计算机和车载系统中，它能够提供稳定的数据存储和处理能力，满足复杂应用场景的需求。

H5TC8G63AMR-PBC, H9HP53ALVUMDAR