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H5TQ4G83CFR-TEI 发布时间 时间:2025/9/2 1:49:06 查看 阅读:4

H5TQ4G83CFR-TEI 是由SK Hynix(海力士)公司生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于移动型低功耗DRAM(LPDRAM)类别,广泛用于需要高性能和低功耗的便携式电子产品中,如智能手机、平板电脑和嵌入式系统。这款DRAM芯片采用BGA(球栅阵列)封装技术,具有较高的集成度和良好的散热性能,适合高密度电路设计。

参数

容量: 4Gb(512MB)
  组织结构: x8/x16
  工作电压: 1.7V - 3.6V
  接口类型: 异步
  封装类型: TSOP
  工作温度范围: -40°C 至 +85°C

特性

H5TQ4G83CFR-TEI 具备多项出色的性能特点。首先,它的存储容量为4Gb(512MB),适用于需要较大内存缓存的应用场景。芯片支持x8和x16两种数据总线宽度配置,提高了设计的灵活性,允许工程师根据实际需求选择合适的模式。该DRAM芯片采用异步接口设计,无需与系统时钟同步,简化了时序控制,降低了设计复杂度。
  该芯片的工作电压范围为1.7V至3.6V,使其能够在多种电源条件下稳定运行,特别适合电池供电设备。此外,H5TQ4G83CFR-TEI 的TSOP(薄型小尺寸封装)封装形式不仅节省空间,而且具备良好的电气性能和热管理能力,适合高密度PCB布局。该器件的工作温度范围宽达-40°C至+85°C,适用于工业级环境下的稳定运行。

应用

H5TQ4G83CFR-TEI 主要用于对存储性能和功耗有较高要求的便携式设备。常见的应用包括智能手机、平板电脑、穿戴设备、便携式媒体播放器和GPS导航设备等。此外,该芯片也可用于嵌入式系统、工业控制设备和汽车电子系统,作为临时数据存储或缓存使用。由于其宽温范围和可靠的电气特性,它也适用于一些工业自动化和车载设备中的数据存储需求。

替代型号

H5TQ4G83EFR-TEI, H5TQ4G83FFR-TEI

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