2SK901 时间：2025/8/9 19:24:06 阅读：30

2SK901是一种N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于功率放大和电源开关等应用。该器件采用TO-92封装，适用于高频率、高功率的电子电路中。2SK901以其高开关速度、低导通电阻和较强的电流承载能力而受到工程师的青睐。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　封装类型：TO-92
　　最大漏源电压（VDS）：900V
　　最大栅源电压（VGS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：1.5A
　　导通电阻（RDS(on))：约3Ω
　　最大功耗（PD）：25W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

2SK901的主要特性包括其高电压耐受能力，能够承受高达900V的漏源电压，这使其适用于高压电源开关应用。该器件具有较低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高整体效率。此外，2SK901的高开关速度使其适用于高频应用，例如高频功率转换器和放大器电路。
　　2SK901的TO-92封装形式提供了良好的散热性能，同时保持了较小的尺寸，适合空间受限的设计。该器件的可靠性和耐用性也使其成为工业控制、电源管理和消费类电子产品的常用选择。
　　栅极驱动方面，2SK901的栅源电压范围较宽，允许在不同的驱动条件下稳定工作。这种灵活性使得该器件可以与多种类型的控制电路兼容。

应用

2SK901常用于需要高电压和中等电流控制的电路中。典型应用包括开关电源（SMPS）、LED驱动器、电机控制电路、逆变器和充电器设计。此外，它也广泛应用于音频功率放大器和其他高频电子设备中。
　　在工业自动化和控制系统中，2SK901可以作为高效开关使用，控制电机、继电器或其他负载。在消费电子产品中，该器件可用于节能照明系统和便携式设备的电源管理模块。