时间：2025/9/2 4:20:32
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H5TQ4G83CFR-RDI 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，采用FBGA封装。该芯片具有高存储密度、低功耗和高性能的特点，适用于多种电子设备，如智能手机、平板电脑、嵌入式系统和其他需要高速内存的设备。该型号的存储容量为4Gb，支持LPDDR4X接口标准，具备较高的数据传输速率和能效。
容量：4Gb
类型：DRAM
接口标准：LPDDR4X
封装类型：FBGA
电压：1.8V / 0.5V
时钟频率：1600MHz
数据速率：3200Mbps
工作温度：-40°C至85°C
H5TQ4G83CFR-RDI 具备以下显著特性：首先，其使用了LPDDR4X接口标准，相较于前代LPDDR4，能效提高了约20%，适用于对功耗敏感的移动设备和嵌入式系统。其次，该芯片采用了先进的DRAM制造工艺，使其在高频运行下仍能保持稳定，数据传输速率高达3200Mbps，可满足高性能计算和图形处理的需求。此外，该芯片的封装形式为FBGA（细间距球栅阵列），提供了良好的电气性能和散热性能，有助于提高系统的整体可靠性。其工作温度范围宽广，从-40°C至85°C，适应了各种严苛的环境条件，包括工业级应用。最后，H5TQ4G83CFR-RDI 还集成了多项先进的节能技术，例如深度掉电模式（Deep Power Down Mode）和自动刷新机制，以进一步降低静态功耗，延长设备的续航时间。
该芯片的存储容量为4Gb，非常适合用于需要较大内存缓冲的场景，如视频处理、图形渲染以及AI推理等应用。其高带宽特性也使得多任务处理更加流畅，有助于提升设备的整体性能和用户体验。
H5TQ4G83CFR-RDI 广泛应用于各类高性能电子设备中，包括但不限于智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、智能穿戴设备、车载信息娱乐系统、工业控制设备、网络通信设备以及物联网（IoT）设备。在智能手机中，该芯片可用于提供快速的内存访问，支持复杂的多任务操作和高质量的图形渲染。在工业控制和车载系统中，其宽工作温度范围和高可靠性使其能够适应恶劣的运行环境。此外，H5TQ4G83CFR-RDI 也可用于嵌入式视觉系统、边缘计算设备和人工智能加速模块，为数据密集型任务提供高效的内存支持。
H5TQ4G83CFR-RDI 的替代型号包括H5TQ4G83EFR-RDI、H5TC8G63EFR-RDI 和 H9HKNNNCTMMUMD-NEE
