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H5TQ4G83CFR-RDI 发布时间 时间:2025/9/2 4:20:32 查看 阅读:12

H5TQ4G83CFR-RDI 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,采用FBGA封装。该芯片具有高存储密度、低功耗和高性能的特点,适用于多种电子设备,如智能手机、平板电脑、嵌入式系统和其他需要高速内存的设备。该型号的存储容量为4Gb,支持LPDDR4X接口标准,具备较高的数据传输速率和能效。

参数

容量:4Gb
  类型:DRAM
  接口标准:LPDDR4X
  封装类型:FBGA
  电压:1.8V / 0.5V
  时钟频率:1600MHz
  数据速率:3200Mbps
  工作温度:-40°C至85°C

特性

H5TQ4G83CFR-RDI 具备以下显著特性:首先,其使用了LPDDR4X接口标准,相较于前代LPDDR4,能效提高了约20%,适用于对功耗敏感的移动设备和嵌入式系统。其次,该芯片采用了先进的DRAM制造工艺,使其在高频运行下仍能保持稳定,数据传输速率高达3200Mbps,可满足高性能计算和图形处理的需求。此外,该芯片的封装形式为FBGA(细间距球栅阵列),提供了良好的电气性能和散热性能,有助于提高系统的整体可靠性。其工作温度范围宽广,从-40°C至85°C,适应了各种严苛的环境条件,包括工业级应用。最后,H5TQ4G83CFR-RDI 还集成了多项先进的节能技术,例如深度掉电模式(Deep Power Down Mode)和自动刷新机制,以进一步降低静态功耗,延长设备的续航时间。
  该芯片的存储容量为4Gb,非常适合用于需要较大内存缓冲的场景,如视频处理、图形渲染以及AI推理等应用。其高带宽特性也使得多任务处理更加流畅,有助于提升设备的整体性能和用户体验。

应用

H5TQ4G83CFR-RDI 广泛应用于各类高性能电子设备中,包括但不限于智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、智能穿戴设备、车载信息娱乐系统、工业控制设备、网络通信设备以及物联网(IoT)设备。在智能手机中,该芯片可用于提供快速的内存访问,支持复杂的多任务操作和高质量的图形渲染。在工业控制和车载系统中,其宽工作温度范围和高可靠性使其能够适应恶劣的运行环境。此外,H5TQ4G83CFR-RDI 也可用于嵌入式视觉系统、边缘计算设备和人工智能加速模块,为数据密集型任务提供高效的内存支持。

替代型号

H5TQ4G83CFR-RDI 的替代型号包括H5TQ4G83EFR-RDI、H5TC8G63EFR-RDI 和 H9HKNNNCTMMUMD-NEE

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