容量：4GB
　　电压：1.1V
　　封装：BGA
　　封装尺寸：134 balls
　　工作温度：-40°C ~ 85°C
　　接口类型：LPDDR4
　　数据速率：3200Mbps
　　位宽：x8
　　时钟频率：1600MHz

H5TQ4G83BMR-H9C 是一款先进的低功耗DRAM芯片，采用LPDDR4标准，具有高速数据传输能力和低功耗特性。其核心电压为1.1V，相比上一代LPDDR3内存，功耗降低了约20%，适合用于电池供电设备，以延长续航时间。
　　该芯片的数据传输速率为3200Mbps，支持双倍数据速率技术，能够在每个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据，从而实现高效的内存带宽利用率。其1600MHz的时钟频率能够满足高性能处理器和图形芯片对内存带宽的需求，确保设备运行流畅。
　　封装方面，H5TQ4G83BMR-H9C 采用134-ball BGA封装形式，具有良好的电气性能和散热能力，适用于高密度PCB布局。其工作温度范围为-40°C至85°C，适用于工业级和消费级应用，能够在各种环境条件下稳定运行。
　　此外，该芯片支持多种低功耗模式，如预充电功耗降低模式（Precharge Power-down Mode）和自刷新模式（Self-Refresh Mode），可以在设备闲置时显著降低功耗，进一步延长电池寿命。

H5TQ4G83BMR-H9C 主要应用于需要高性能和低功耗内存的移动设备和嵌入式系统。典型应用包括智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、车载信息娱乐系统（IVI）、工业控制设备和物联网（IoT）终端。该芯片的高性能内存支持能够满足现代操作系统和应用程序对内存容量和速度的需求，同时其低功耗设计有助于提高设备的续航能力。
　　在智能手机和平板电脑中，H5TQ4G83BMR-H9C 可作为主内存（RAM）使用，为多任务处理、高清视频播放、大型游戏和AI计算提供充足的内存资源。在嵌入式系统和工业设备中，它可以支持实时操作系统（RTOS）和高性能数据处理任务，确保系统稳定运行。
　　此外，该芯片也适用于需要高效能内存的图形处理和AI加速应用，如边缘计算设备、智能摄像头和机器学习终端设备。其高速数据传输能力和低功耗特性使其成为现代智能设备的理想内存解决方案。

H5TQ4G83AFR-H9C, H5TQ4G83CFR-H9C, H5TQ4G83EFR-H9C