H5TQ4G83AFR 时间：2025/9/2 12:03:11 阅读：14

H5TQ4G83AFR是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的高密度DRAM芯片，属于移动DRAM类别，专为低功耗和高性能需求设计，适用于智能手机、平板电脑及其他便携式电子设备。该芯片采用了FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装技术，具备较高的集成度和较小的封装体积，以满足现代移动设备对空间和功耗的严格要求。

参数

类型：DRAM
　　子类：移动DRAM（Mobile DRAM）
　　容量：4Gb（512MB）
　　组织结构：x8或x16
　　工作电压：1.5V或1.35V（根据具体版本）
　　接口类型：LPDDR2或LPDDR3（具体取决于后缀）
　　时钟频率：最高可达约533MHz或800MHz（依据版本）
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：根据具体版本可能为100-ball、130-ball或162-ball等
　　温度范围：工业级温度范围（-40°C至+85°C）

特性

H5TQ4G83AFR是一款高性能、低功耗的移动DRAM芯片。其采用了先进的DRAM工艺技术，能够在较低的工作电压下提供较高的数据传输速率，从而有效延长移动设备的电池续航时间。该芯片支持多种低功耗模式，如自刷新（Self-Refresh）、深度掉电（Deep Power-Down）等，进一步优化了设备的能效表现。
　　此外，H5TQ4G83AFR具备良好的稳定性和兼容性，适用于各种移动平台和嵌入式系统。其FBGA封装设计不仅节省空间，还能提供良好的电气性能和热稳定性，确保设备在复杂环境下稳定运行。
　　该芯片还具备较高的数据完整性和可靠性，采用ECC（错误校正码）技术来检测和纠正数据传输中的单比特错误，提高系统稳定性。其内部设计优化了信号完整性，减少了串扰和噪声干扰，提升了整体性能。