时间：2025/9/2 10:05:49
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H5TQ4G83AFR-H9C 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，专为高性能、低功耗应用设计，广泛用于移动设备、平板电脑、嵌入式系统及高性能计算设备中。这款DRAM芯片采用BGA（球栅阵列）封装技术，具有较高的存储密度和稳定的电气性能。
容量：4Gb（512MB）
类型：LPDDR4 SDRAM
电压：1.1V / 2.5V
接口：x8 / x16
封装类型：BGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据速率：3200Mbps
时钟频率：1600MHz
组织结构：4 banks
数据预取：2n预取
封装尺寸：9mm x 11mm
制造工艺：20nm级
刷新周期：64ms
H5TQ4G83AFR-H9C 是一款高性能、低功耗的LPDDR4 SDRAM芯片，具有多项技术优势。首先，它采用了先进的20nm级制造工艺，显著提升了存储密度，同时降低了功耗，使其非常适合用于电池供电设备。该芯片的工作电压为1.1V（核心电压）和2.5V（I/O电压），相比前代LPDDR3产品，在功耗方面有明显优化。
其数据速率为3200Mbps，时钟频率达到1600MHz，支持双倍数据速率传输，从而显著提升了数据带宽和系统性能。该芯片支持x8和x16两种接口模式，提供了灵活的系统设计选项。
H5TQ4G83AFR-H9C 具有4个Bank组，支持同时进行多个操作，提高了内存访问效率。此外，它还支持2n预取架构，使得每个时钟周期可以预取两倍的数据量，进一步提升了数据吞吐能力。
该芯片的封装尺寸为9mm x 11mm，采用BGA（球栅阵列）封装形式，具有良好的电气连接和散热性能，适用于高密度、高频率的应用场景。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适合在各种环境条件下稳定运行。
在可靠性方面，H5TQ4G83AFR-H9C 支持自动刷新和自刷新模式，确保数据在低功耗状态下依然可以被安全存储。此外，它还支持多种低功耗模式，如深度掉电模式、预充电掉电模式等，有助于进一步延长设备的电池续航时间。
H5TQ4G83AFR-H9C 主要应用于需要高性能和低功耗内存的电子设备，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、智能穿戴设备等。此外，它也可用于嵌入式系统、工业控制设备、车载信息系统、网络设备和多媒体播放器等场景。
由于其高带宽和低延迟特性，该芯片特别适合用于图形处理、视频解码、AI加速计算和实时数据处理等高性能应用场景。在移动设备中，它能够显著提升系统响应速度和多任务处理能力，同时保持较低的能耗水平。
在嵌入式和工业应用中，H5TQ4G83AFR-H9C 的宽温工作范围和高稳定性使其能够在严苛环境下可靠运行。其BGA封装形式也适合高密度PCB布局，适用于紧凑型设备的设计。
H5TQ4G83EFR-H9C
H5TQ4G83BFR-H9C
MT53B512M32A2B4-046
H9HKNNN8PSMUMR
