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H5TQ4G83AFR-H9C 发布时间 时间:2025/9/2 10:05:49 查看 阅读:7

H5TQ4G83AFR-H9C 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)系列,专为高性能、低功耗应用设计,广泛用于移动设备、平板电脑、嵌入式系统及高性能计算设备中。这款DRAM芯片采用BGA(球栅阵列)封装技术,具有较高的存储密度和稳定的电气性能。

参数

容量:4Gb(512MB)
  类型:LPDDR4 SDRAM
  电压:1.1V / 2.5V
  接口:x8 / x16
  封装类型:BGA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据速率:3200Mbps
  时钟频率:1600MHz
  组织结构:4 banks
  数据预取:2n预取
  封装尺寸:9mm x 11mm
  制造工艺:20nm级
  刷新周期:64ms

特性

H5TQ4G83AFR-H9C 是一款高性能、低功耗的LPDDR4 SDRAM芯片,具有多项技术优势。首先,它采用了先进的20nm级制造工艺,显著提升了存储密度,同时降低了功耗,使其非常适合用于电池供电设备。该芯片的工作电压为1.1V(核心电压)和2.5V(I/O电压),相比前代LPDDR3产品,在功耗方面有明显优化。
  其数据速率为3200Mbps,时钟频率达到1600MHz,支持双倍数据速率传输,从而显著提升了数据带宽和系统性能。该芯片支持x8和x16两种接口模式,提供了灵活的系统设计选项。
  H5TQ4G83AFR-H9C 具有4个Bank组,支持同时进行多个操作,提高了内存访问效率。此外,它还支持2n预取架构,使得每个时钟周期可以预取两倍的数据量,进一步提升了数据吞吐能力。
  该芯片的封装尺寸为9mm x 11mm,采用BGA(球栅阵列)封装形式,具有良好的电气连接和散热性能,适用于高密度、高频率的应用场景。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适合在各种环境条件下稳定运行。
  在可靠性方面,H5TQ4G83AFR-H9C 支持自动刷新和自刷新模式,确保数据在低功耗状态下依然可以被安全存储。此外,它还支持多种低功耗模式,如深度掉电模式、预充电掉电模式等,有助于进一步延长设备的电池续航时间。

应用

H5TQ4G83AFR-H9C 主要应用于需要高性能和低功耗内存的电子设备,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、智能穿戴设备等。此外,它也可用于嵌入式系统、工业控制设备、车载信息系统、网络设备和多媒体播放器等场景。
  由于其高带宽和低延迟特性,该芯片特别适合用于图形处理、视频解码、AI加速计算和实时数据处理等高性能应用场景。在移动设备中,它能够显著提升系统响应速度和多任务处理能力,同时保持较低的能耗水平。
  在嵌入式和工业应用中,H5TQ4G83AFR-H9C 的宽温工作范围和高稳定性使其能够在严苛环境下可靠运行。其BGA封装形式也适合高密度PCB布局,适用于紧凑型设备的设计。

替代型号

H5TQ4G83EFR-H9C
  H5TQ4G83BFR-H9C
  MT53B512M32A2B4-046
  H9HKNNN8PSMUMR

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