H5TQ4G63MFR-12C 是由SK hynix生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能的内存器件。该型号属于DDR3 SDRAM(双倍数据速率第三代同步动态随机存取存储器)类别,广泛用于需要高速数据处理的设备中。H5TQ4G63MFR-12C 提供了4Gbit的存储容量,采用x16的组织方式,并以FBGA(细间距球栅阵列)封装,适用于对空间和性能都有要求的现代电子设备。
容量:4Gbit
组织结构:x16
封装类型:FBGA
工作电压:1.35V/1.5V
时钟频率:800MHz
数据速率:1600Mbps
工作温度范围:-40°C至+85°C
JEDEC标准兼容性:支持DDR3标准
H5TQ4G63MFR-12C 具有低功耗设计,支持多种节能模式,包括自动刷新和自刷新模式,适用于便携式和低功耗系统。
该芯片支持预取架构,能够在每个时钟周期内获取多个数据位,从而提高数据吞吐率。
它具备高可靠性和稳定性,支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),适合在各种环境条件下运行。
此DRAM芯片支持多种突发长度配置,提供灵活的内存访问模式,满足不同应用需求。
其FBGA封装形式不仅提供了良好的电气性能,还增强了热管理和空间利用率,适用于紧凑型设备设计。
H5TQ4G63MFR-12C 主要应用于需要高性能和低功耗的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及消费类电子产品。
例如,它可用于智能手机、平板电脑、数字电视、网络路由器、固态硬盘控制器和其他需要高速内存处理能力的设备。
由于其宽温特性和高稳定性,该芯片也适合在工业自动化、车载系统和安防监控设备中使用。
此外,H5TQ4G63MFR-12C 也可用于开发高性能的物联网(IoT)设备,满足实时数据处理和存储需求。
H5TQ4G63AFR-H9A, H5TQ4G63BFR-12C