H5TQ4G63MFR-12C 时间：2025/9/2 4:03:53 阅读：17

H5TQ4G63MFR-12C 是由SK hynix生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、高性能的内存器件。该型号属于DDR3 SDRAM（双倍数据速率第三代同步动态随机存取存储器）类别，广泛用于需要高速数据处理的设备中。H5TQ4G63MFR-12C 提供了4Gbit的存储容量，采用x16的组织方式，并以FBGA（细间距球栅阵列）封装，适用于对空间和性能都有要求的现代电子设备。

参数

容量：4Gbit
　　组织结构：x16
　　封装类型：FBGA
　　工作电压：1.35V/1.5V
　　时钟频率：800MHz
　　数据速率：1600Mbps
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　JEDEC标准兼容性：支持DDR3标准

特性

H5TQ4G63MFR-12C 具有低功耗设计，支持多种节能模式，包括自动刷新和自刷新模式，适用于便携式和低功耗系统。
　　该芯片支持预取架构，能够在每个时钟周期内获取多个数据位，从而提高数据吞吐率。
　　它具备高可靠性和稳定性，支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），适合在各种环境条件下运行。
　　此DRAM芯片支持多种突发长度配置，提供灵活的内存访问模式，满足不同应用需求。
　　其FBGA封装形式不仅提供了良好的电气性能，还增强了热管理和空间利用率，适用于紧凑型设备设计。

应用

H5TQ4G63MFR-12C 主要应用于需要高性能和低功耗的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及消费类电子产品。
　　例如，它可用于智能手机、平板电脑、数字电视、网络路由器、固态硬盘控制器和其他需要高速内存处理能力的设备。
　　由于其宽温特性和高稳定性，该芯片也适合在工业自动化、车载系统和安防监控设备中使用。
　　此外，H5TQ4G63MFR-12C 也可用于开发高性能的物联网（IoT）设备，满足实时数据处理和存储需求。