STM32F412VGT6采用高性能Arm?Cortex?-M4 32位RISC内核,工作频率高达100 MHz。他们的Cortex?-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度,支持所有Arm单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个增强应用程序安全性的内存保护单元(MPU)。
STM32F412VGT6属于STM32动态效率? 产品线(结合了能效、性能和集成的产品),同时添加了一种新的创新功能,称为批处理采集模式(BAM),从而在数据批处理过程中节省更多的功耗。
STM32F412VGT6包含高速嵌入式存储器(高达1兆字节的闪存,256千字节的SRAM),以及连接到两条APB总线、三条AHB总线和32位多AHB总线矩阵的大量增强型I/O和外围设备。
STM32F412VGT6提供一个12位ADC、一个低功耗RTC、十二个通用16位定时器、两个用于电机控制的PWM定时器和两个通用32位定时器。
动态效率线与BAM(批量收购模式)
核心:Arm32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART加速器)允许0等待状态执行从闪存,频率高达100兆赫,内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1),和DSP指令记忆
–高达1 MB的闪存
–256 KB SRAM
–灵活的外部静态内存控制器
具有多达16位数据总线:SRAM、PSRAM、,NOR闪存
–双模四路SPI接口
LCD并行接口,8080/6800模式时钟、复位和电源管理
–1.7 V至3.6 V应用电源和I/O
–POR、PDR、PVD和BOR
–4至26 MHz晶体振荡器
–内部16 MHz工厂修整RC
–32 kHz振荡器,用于带校准的RTC
–内部32 kHz RC,带校准
功耗
–运行:112μA/MHz(外围设备关闭)
–停止(在停止模式下闪烁,快速唤醒时间):50μA Typ@25°C;最大75μA@25℃
–停止(在深度断电模式下闪烁,
缓慢唤醒时间):低至18μA@25℃;25°C时最大40μA
–待机:2.4μA@25°C/1.7 V,无RTC;12μA@85°C@1.7伏
–RTC的VBAT电源:1μA@25°C
1×12位,2.4 MSPS ADC:最多16个通道
用于∑-Δ调制器的2个数字滤波器,
4个PDM接口,立体声麦克风支持
通用DMA:16流DMA
电机驱动和应用控制
医疗设备
工业应用:PLC、逆变器、断路器
打印机和扫描仪
报警系统、视频对讲系统和HVAC
家用音频设备
手机传感器集线器
可穿戴设备
连接的对象
Wifi模块
商品分类 | MCU微控制器 | I/O数 | 81 |
品牌 | ST(意法半导体) | 程序存储容量 | 1MB(1M x 8) |
封装 | 100-LQFP(14x14) | 程序存储器类型 | 闪存 |
包装 | 托盘 | RAM大小 | 256K x 8 |
商品标签 | 通用类MCU | 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.7V ~ 3.6V |
核心处理器 | ARM Cortex-M4 | 数据转换器 | A/D 16x12b |
内核规格 | 32-位 | 振荡器类型 | 内部 |
速度 | 100MHz | 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
连接能力 | CANbus,EBI/EMI,I2C,IrDA,LINbus,MMC/SD/SDIO,QSPI,SPI,UART/USART,USB OTG | 安装类型 | 表面贴装型 |
外设 | 欠压检测/复位,DMA,I2S,LCD,POR,PWM,WDT | 基本产品编号 | STM32 |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) | RoHS状态 | 符合 ROHS3 规范 |
ECCN | 3A991A2 | REACH状态 | 非 REACH 产品 |
HTSUS | 8542.31.0001 |
STM32F412VGT6原理图
STM32F412VGT6引脚图
STM32F412VGT6封装
STM32F412VGT6丝印
STM32F412VGT6料号解释