H5TQ4G63EFR-TEC 是一款由海力士(SK Hynix)生产的 NAND 闪存芯片,采用 TLC(Triple-Level Cell)技术。该芯片具有高密度存储能力和较低的功耗,适用于需要大容量存储的嵌入式系统和消费类电子设备,例如固态硬盘(SSD)、USB 闪存盘、内存卡等。其设计优化了数据读写性能,并支持多种接口标准以适应不同的应用需求。
该型号属于海力士的 48 层 3D NAND 系列,提供高达 512Gb 的存储容量(未格式化),并具备良好的可靠性和耐用性。
容量:512Gb (64GB)
工艺技术:48层 3D TLC NAND
接口类型:Toggle Mode 2.0 或 ONFI 3.0
工作电压:Core Voltage (Vcc): 1.8V ± 0.1V, I/O Voltage (Vccq): 1.8V ± 0.1V
封装形式:WSON48 封装
数据传输速率:最高可达 400 MT/s
擦写寿命:约 1000 次
工作温度范围:0°C 至 70°C (商用级)
H5TQ4G63EFR-TEC 使用 TLC 存储单元结构,每个存储单元可以保存 3 位数据,从而实现了更高的存储密度和更低的成本。它支持 Toggle DDR 2.0 接口协议,能够提供更快的数据传输速度和更低的延迟。此外,该芯片内置 ECC(Error Correction Code)引擎,增强了数据的完整性和可靠性。
其低功耗设计特别适合移动设备和对能效要求较高的场景。同时,该芯片通过先进的制造工艺,在保证高性能的同时减少了芯片面积,从而降低了整体成本。
另外,H5TQ4G63EFR-TEC 提供全面的坏块管理功能,可有效延长产品使用寿命,并支持多页面编程操作,进一步提升写入效率。
H5TQ4G63EFR-TEC 广泛应用于各种需要非易失性存储的场合,包括但不限于:
- 固态硬盘(SSD)
- USB 闪存盘
- 微型 SD 卡及其它存储卡
- 嵌入式存储模块(如 eMMC 和 UFS)
- 工业控制设备中的日志记录与数据存储
- 智能家居设备和物联网终端的数据缓存
- 车载信息娱乐系统中的媒体存储
由于其出色的性价比和大容量特点,这款芯片非常适合大规模量产的产品线。
H5TC4G63AFR-TNC, H5TC4G63BFR-TNC