时间：2025/5/7 21:04:38
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H5TQ4G63EFR-RDI 是一款由海力士（SK Hynix）生产的 NAND 闪存芯片，采用 Toggle DDR 2.0 接口技术。该芯片具有高可靠性和高性能，广泛应用于消费电子、工业设备和嵌入式系统等领域。其主要功能是提供大容量的非易失性存储，适用于需要频繁读写操作的应用场景。
容量：32GB
接口类型：Toggle DDR 2.0
工作电压Vcc：1.8V ± 0.1V
数据传输速率：400MT/s
封装形式：BGA
工作温度范围：-25°C 至 +85°C
页大小：16KB
区块大小：2048页
ECC要求：≤72 bits/1KByte
H5TQ4G63EFR-RDI 具有以下显著特性：
1. 高速数据传输：支持 Toggle DDR 2.0 接口，数据传输速率高达 400MT/s。
2. 大容量存储：单颗芯片即可提供 32GB 的存储空间，适合高密度存储需求。
3. 可靠性高：具备强大的错误校正能力（ECC），能够有效提升数据完整性。
4. 耐用性强：采用先进的制造工艺，支持多次擦写周期，延长使用寿命。
5. 低功耗设计：工作电压为 1.8V，有助于降低整体系统能耗。
H5TQ4G63EFR-RDI 主要用于以下领域：
1. 消费电子产品：如智能手机、平板电脑、智能电视等。
2. 存储设备：例如固态硬盘（SSD）、USB 闪存盘和记忆卡。
3. 工业与医疗设备：如数据记录仪、医疗影像设备等。
4. 嵌入式系统：适用于需要高效存储的嵌入式计算平台。
5. 网络通信设备：路由器、交换机等需要稳定存储的网络硬件。
H5TC4G63AFR-KPI,H5TC4G63AFFR-PPI
