时间：2025/9/2 4:43:31
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H5TQ4G63CFR-RDIR是一款由SK Hynix生产的高密度、高性能的DRAM芯片，属于移动LPDDR4系列。该芯片采用先进的制造工艺，具有低功耗、高速度和高可靠性的特点，广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等对功耗和性能有较高要求的设备中。H5TQ4G63CFR-RDIR封装为186-ball FBGA，工作电压为1.1V，支持双倍数据速率（DDR）技术，提供高达3200Mbps的数据传输速率。
容量：4GB（32Gb）
类型：LPDDR4 SDRAM
封装：186-ball FBGA
工作电压：1.1V
数据速率：3200Mbps
数据宽度：64位
工作温度：-40°C至85°C
JEDEC标准：符合JEDEC标准
H5TQ4G63CFR-RDIR芯片采用先进的1Gbit工艺节点制造，具有出色的性能和能效。其低电压设计（1.1V）显著降低了功耗，使其非常适合用于电池供电设备。该芯片支持多种低功耗模式，包括深度自刷新（DSR）、预充电功耗下降（PPD）和时钟停止（CKE）等，以进一步延长设备的电池续航时间。
在性能方面，H5TQ4G63CFR-RDIR支持高达3200Mbps的数据传输速率，并通过8位预取架构实现双倍数据速率。它支持突发长度BL=16，可提供高效的内存访问，同时具备差分时钟（CK_t/CK_c）和数据选通（DQS_t/DQS_c）以提高信号完整性。此外，该芯片支持命令/地址（CA）训练和写入均衡（Write Equalization）等功能，以优化信号时序并提高系统的稳定性。
该芯片的封装尺寸为9mm x 13mm，具有良好的热管理和机械稳定性，适用于各种移动设备和嵌入式系统。其工作温度范围为-40°C至85°C，确保了在各种环境条件下的稳定运行。
H5TQ4G63CFR-RDIR广泛应用于高性能移动设备，如旗舰级智能手机和平板电脑，用于提供快速、可靠的内存支持。此外，该芯片也适用于其他对性能和功耗有严格要求的应用场景，如智能穿戴设备、AR/VR设备、车载信息娱乐系统、工业控制系统和边缘计算设备。其高带宽和低功耗特性使其成为高端嵌入式系统和AI加速模块的理想选择。
H5TC4G63AFR-PB4R
