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H5TQ4G63CFR-RDIR 发布时间 时间:2025/9/2 4:43:31 查看 阅读:8

H5TQ4G63CFR-RDIR是一款由SK Hynix生产的高密度、高性能的DRAM芯片,属于移动LPDDR4系列。该芯片采用先进的制造工艺,具有低功耗、高速度和高可靠性的特点,广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等对功耗和性能有较高要求的设备中。H5TQ4G63CFR-RDIR封装为186-ball FBGA,工作电压为1.1V,支持双倍数据速率(DDR)技术,提供高达3200Mbps的数据传输速率。

参数

容量:4GB(32Gb)
  类型:LPDDR4 SDRAM
  封装:186-ball FBGA
  工作电压:1.1V
  数据速率:3200Mbps
  数据宽度:64位
  工作温度:-40°C至85°C
  JEDEC标准:符合JEDEC标准

特性

H5TQ4G63CFR-RDIR芯片采用先进的1Gbit工艺节点制造,具有出色的性能和能效。其低电压设计(1.1V)显著降低了功耗,使其非常适合用于电池供电设备。该芯片支持多种低功耗模式,包括深度自刷新(DSR)、预充电功耗下降(PPD)和时钟停止(CKE)等,以进一步延长设备的电池续航时间。
  在性能方面,H5TQ4G63CFR-RDIR支持高达3200Mbps的数据传输速率,并通过8位预取架构实现双倍数据速率。它支持突发长度BL=16,可提供高效的内存访问,同时具备差分时钟(CK_t/CK_c)和数据选通(DQS_t/DQS_c)以提高信号完整性。此外,该芯片支持命令/地址(CA)训练和写入均衡(Write Equalization)等功能,以优化信号时序并提高系统的稳定性。
  该芯片的封装尺寸为9mm x 13mm,具有良好的热管理和机械稳定性,适用于各种移动设备和嵌入式系统。其工作温度范围为-40°C至85°C,确保了在各种环境条件下的稳定运行。

应用

H5TQ4G63CFR-RDIR广泛应用于高性能移动设备,如旗舰级智能手机和平板电脑,用于提供快速、可靠的内存支持。此外,该芯片也适用于其他对性能和功耗有严格要求的应用场景,如智能穿戴设备、AR/VR设备、车载信息娱乐系统、工业控制系统和边缘计算设备。其高带宽和低功耗特性使其成为高端嵌入式系统和AI加速模块的理想选择。

替代型号

H5TC4G63AFR-PB4R

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