类型：DRAM
　　容量：4GB (x64)
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：78
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　时钟频率：166MHz
　　数据速率：166MHz
　　数据宽度：64位
　　制造厂商：SK Hynix

H5TQ4G63CFR-RDC 是一款具有高可靠性和稳定性的DRAM存储芯片。其采用的FBGA封装形式，使得芯片在高频工作状态下仍能保持良好的电气性能和热稳定性。该芯片支持CMOS工艺，具备低功耗运行能力，适合用于对功耗敏感的应用场景。此外，H5TQ4G63CFR-RDC 还具备较高的数据传输速率，能够满足高速缓存和主存储器的使用需求。芯片内部集成了自刷新（Self-Refresh）功能，可以在待机状态下自动刷新数据，从而降低系统功耗并提高存储效率。其工作温度范围较宽，从-40°C到+85°C，能够适应工业级环境的严苛条件，适用于工业控制、通信设备、消费电子等多种应用领域。

H5TQ4G63CFR-RDC 主要用于需要大容量内存和高速数据处理能力的电子设备中。典型应用包括个人电脑主板、服务器内存模块、工业计算机、路由器和交换机等网络设备、嵌入式系统以及消费类电子产品如智能电视、游戏机等。由于其高容量和低功耗的特性，也非常适合用于移动设备和便携式电子产品中。在嵌入式系统中，该芯片可以作为主存储器使用，提供快速的数据存取能力，提高系统的整体性能。

H5TQ4G63CFR-RDC 的替代型号包括 H5TQ4G63CFR-H9C 和 H5TQ4G63CFR-8G4M。这些型号在性能参数和封装形式上具有相似性，可以作为替代选择。在选择替代型号时，建议根据具体应用场景和电路设计要求进行匹配验证，以确保兼容性和稳定性。