时间：2025/9/2 9:50:09
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H5TQ4G63AFR-PBI 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM芯片。这款芯片属于高密度、高性能的存储器件，主要用于需要大容量内存和高速数据处理的应用场景。H5TQ4G63AFR-PBI 的容量为4Gb，采用先进的制造工艺，具有较高的稳定性和可靠性，适合在工业、通信、消费电子等领域使用。
容量：4Gb
类型：DRAM
封装类型：BGA
引脚数：54pin
工作电压：1.35V - 1.5V
时钟频率：最高支持800MHz
数据速率：1600Mbps
数据宽度：x32
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
JEDEC标准：符合JEDEC标准
封装尺寸：5.5mm x 7.5mm
H5TQ4G63AFR-PBI 是一款高性能的DRAM芯片，具备高速数据传输能力，最高数据速率达到1600Mbps，适用于对内存性能要求较高的应用环境。该芯片采用低功耗设计，支持1.35V至1.5V的工作电压范围，有助于降低系统整体功耗，延长设备使用时间。
这款DRAM芯片采用x32的数据宽度设计，提高了数据吞吐能力，适用于需要大量数据并行处理的场景。其封装形式为54pin BGA，体积小巧，适合在空间受限的设备中使用。此外，H5TQ4G63AFR-PBI 的工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在恶劣的工业环境中稳定运行，适用于工业控制、网络设备、高端消费电子产品等领域。
该芯片符合JEDEC标准，确保了与各种主流控制器和系统的兼容性，简化了系统设计和集成过程。其高速时钟频率可达800MHz，支持快速的数据存取操作，提升整体系统性能。由于采用了先进的半导体制造工艺，H5TQ4G63AFR-PBI 在保证高性能的同时，也具备出色的稳定性和可靠性，适用于对存储性能和稳定性要求较高的应用环境。
H5TQ4G63AFR-PBI 主要应用于需要高性能内存的电子设备和系统，例如高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统、工业计算机、网络路由器和交换机等。由于其高速、低功耗和小封装的特性，也适用于便携式设备和物联网（IoT）产品。此外，该芯片还可用于高性能计算模块、图形处理单元（GPU）缓存以及车载电子系统等场景，为系统提供稳定可靠的大容量内存支持。
H5TQ4G63AFR-PBC、H5TQ2G83EFR-PBC、H5TQ4G63AMR-PBC、H5TQ4G63AFR-PBA
