H5TQ4G43BFR 时间：2025/9/1 21:05:37 阅读：29

H5TQ4G43BFR是一种由SK Hynix公司生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺，具有较高的性能和可靠性，适用于多种电子设备，如个人电脑、服务器和网络设备等。H5TQ4G43BFR以其出色的性能和稳定性，成为许多高性能计算应用的理想选择。

参数

容量：4 Gb
　　类型：DRAM
　　封装类型：FBGA
　　数据速率：800 Mbps
　　电压：1.35V / 1.5V
　　接口：x4, x8, x16
　　温度范围：0°C至85°C

特性

H5TQ4G43BFR DRAM芯片具有多种显著的特性。首先，它采用了先进的工艺技术，确保了芯片在高频率下的稳定运行，从而提高了系统的整体性能。其次，该芯片支持低电压操作，有助于降低功耗并提高能效，非常适合用于对功耗敏感的应用场景。此外，H5TQ4G43BFR还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在各种工作环境下保持出色的性能。为了进一步提升其适用性，该芯片支持多种接口配置，包括x4、x8和x16，可以根据具体应用需求进行灵活选择。H5TQ4G43BFR还支持多种刷新模式，包括自动刷新和自刷新，确保了数据在不同工作状态下的完整性和可靠性。此外，该芯片的封装形式为FBGA，具有较小的体积和较高的集成度，非常适合用于空间受限的设计。H5TQ4G43BFR的高性能、低功耗和高可靠性使其成为个人电脑、服务器、网络设备和其他高性能计算应用的理想选择。

应用

H5TQ4G43BFR DRAM芯片广泛应用于多个领域。在个人电脑中，它可以作为主内存使用，提升系统的运行速度和多任务处理能力。在服务器和网络设备中，H5TQ4G43BFR能够提供高速的数据访问能力，满足大数据处理和传输的需求。此外，该芯片还可以用于工业控制系统、通信设备和消费类电子产品，如高性能路由器、存储设备和游戏主机等。其出色的性能和可靠性确保了设备在高强度工作环境下的稳定运行。