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H5TQ4G43BFR 发布时间 时间:2025/9/1 21:05:37 查看 阅读:10

H5TQ4G43BFR是一种由SK Hynix公司生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺,具有较高的性能和可靠性,适用于多种电子设备,如个人电脑、服务器和网络设备等。H5TQ4G43BFR以其出色的性能和稳定性,成为许多高性能计算应用的理想选择。

参数

容量:4 Gb
  类型:DRAM
  封装类型:FBGA
  数据速率:800 Mbps
  电压:1.35V / 1.5V
  接口:x4, x8, x16
  温度范围:0°C至85°C

特性

H5TQ4G43BFR DRAM芯片具有多种显著的特性。首先,它采用了先进的工艺技术,确保了芯片在高频率下的稳定运行,从而提高了系统的整体性能。其次,该芯片支持低电压操作,有助于降低功耗并提高能效,非常适合用于对功耗敏感的应用场景。此外,H5TQ4G43BFR还具备良好的热稳定性和可靠性,能够在各种工作环境下保持出色的性能。为了进一步提升其适用性,该芯片支持多种接口配置,包括x4、x8和x16,可以根据具体应用需求进行灵活选择。H5TQ4G43BFR还支持多种刷新模式,包括自动刷新和自刷新,确保了数据在不同工作状态下的完整性和可靠性。此外,该芯片的封装形式为FBGA,具有较小的体积和较高的集成度,非常适合用于空间受限的设计。H5TQ4G43BFR的高性能、低功耗和高可靠性使其成为个人电脑、服务器、网络设备和其他高性能计算应用的理想选择。

应用

H5TQ4G43BFR DRAM芯片广泛应用于多个领域。在个人电脑中,它可以作为主内存使用,提升系统的运行速度和多任务处理能力。在服务器和网络设备中,H5TQ4G43BFR能够提供高速的数据访问能力,满足大数据处理和传输的需求。此外,该芯片还可以用于工业控制系统、通信设备和消费类电子产品,如高性能路由器、存储设备和游戏主机等。其出色的性能和可靠性确保了设备在高强度工作环境下的稳定运行。

替代型号

H5TQ4G63BFR, H5TQ4Gb3AFR, H5TQ4G43CFR

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