封装类型：QFN-16
　　工作电压范围：4.5V ~ 30V
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　最大开关频率：300kHz
　　控制方式：VDS检测同步整流控制
　　输出驱动类型：高边/低边驱动
　　最大漏极电流：支持高电流MOSFET驱动
　　待机电流：小于100μA

NB671GQZ采用先进的VDS检测技术，能够准确地检测MOSFET的导通状态，从而在适当的时间开启和关闭同步整流MOSFET，有效避免交叉导通和误触发。该芯片内置高压启动电路，可直接从主变压器辅助绕组取电工作，无需外部偏置电源。此外，NB671GQZ具备自动频率折返功能，在轻载条件下自动降低开关频率，以减少开关损耗，提高轻载效率。其内部集成多种保护功能，包括欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）以及前沿消隐（Leading-edge blanking）等，以增强系统的稳定性和可靠性。
　　为了应对不同的工作条件，NB671GQZ还支持多种工作模式，包括连续导通模式（CCM）和不连续导通模式（DCM），适用于广泛的设计需求。该芯片的驱动输出具有高驱动能力和快速响应特性，可有效驱动N沟道MOSFET，确保在高频工作下的稳定性和效率。同时，NB671GQZ符合RoHS环保标准，适合用于环保要求较高的电子产品中。

NB671GQZ广泛应用于各种AC/DC电源转换器中，例如笔记本电脑电源适配器、手机和便携设备充电器、LED照明电源、工业电源模块以及智能电表等电子设备。由于其高效率和低功耗特性，该芯片也常用于设计符合能源之星（Energy Star）标准的节能电源系统。在需要高效率、小尺寸和高可靠性的电源应用中，NB671GQZ是一个理想的选择。

NCP4306, SRK1000, FAN6004