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H5TQ4G43AFR 发布时间 时间:2025/9/1 21:36:44 查看 阅读:9

H5TQ4G43AFR 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)系列。该芯片设计用于高带宽、低功耗的应用场景,广泛应用于移动设备、嵌入式系统以及需要高性能内存支持的电子产品中。H5TQ4G43AFR 提供了较高的存储密度和出色的能效表现,使其成为智能手机、平板电脑和高性能计算设备的理想选择。

参数

容量:4Gb(512MB)
  类型:LPDDR4 SDRAM
  电压:1.1V
  数据速率:3200Mbps
  封装类型:FBGA
  I/O总线:x16
  工作温度:-40°C 至 +85°C

特性

H5TQ4G43AFR 芯片具备多项先进的技术特性,以满足现代电子设备对高性能和低功耗的需求。首先,它采用了LPDDR4标准,能够在更低的电压下(1.1V)提供高达3200Mbps的数据传输速率,显著降低了功耗并提高了能效。这种特性使得该芯片非常适合用于电池供电设备,如智能手机和平板电脑。
  其次,该芯片采用x16的I/O架构,提供了更高的数据吞吐能力,从而提升系统的整体性能。此外,其FBGA(细间距球栅阵列)封装形式不仅保证了良好的电气性能,还具备较强的热稳定性和机械可靠性,适用于高密度PCB布局。
  H5TQ4G43AFR 还支持多种低功耗模式,包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电省电模式,能够在设备待机或低负载状态下最大限度地减少能耗。这种灵活的电源管理机制有助于延长移动设备的电池续航时间。
  此外,该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,具备良好的环境适应性,适用于各种工业和消费类应用场景。

应用

H5TQ4G43AFR 主要应用于对内存性能和功耗有较高要求的设备,例如高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、嵌入式计算平台以及工业控制系统。其高带宽和低功耗特性也使其成为物联网(IoT)设备和边缘计算设备中内存解决方案的优选之一。
  在智能手机领域,H5TQ4G43AFR 可用于支持多任务处理、图形加速和高清视频播放等高负载操作,确保设备流畅运行。在工业控制和自动化系统中,该芯片能够提供稳定可靠的内存支持,满足长时间运行和复杂数据处理的需求。
  此外,该芯片也可用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS),以支持高分辨率图形显示和实时数据处理。

替代型号

H5TQ4G63AMR, H9HP53AECMMDB-NEC, K3UH5H50AM-AC10

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