7123-6083-30是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。该芯片具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
该器件采用了先进的制造工艺,具备优异的热性能和电气稳定性,适用于需要高效率和高可靠性的工业及消费类电子产品。
型号:7123-6083-30
类型:N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ(典型值,Vgs=10V时)
功耗:180W
封装形式:TO-247
工作温度范围:-55℃至+175℃
7123-6083-30具有以下主要特性:
1. 超低导通电阻,有助于减少导通损耗并提高效率。
2. 快速开关速度,适合高频应用环境。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。向恢复二极管,支持同步整流功能。
5. 优异的热性能,能够承受较高的结温,确保长期稳定运行。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
这款芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器,如降压、升压和升降压拓扑结构。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动电路。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 新能源领域,例如太阳能逆变器和电池管理系统(BMS)。
6. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
IRFZ44N
FDP5800
AON6804