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H5TQ4G43AFR-PBC 发布时间 时间:2025/9/1 11:16:43 查看 阅读:11

H5TQ4G43AFR-PBC 是由SK Hynix(海力士)公司生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于低功耗DDR4 SDRAM类别,适用于移动设备和嵌入式系统,具有较高的性能和较低的功耗,非常适合用于智能手机、平板电脑和其他对功耗敏感的便携式设备。

参数

类型:DRAM
  存储器格式:DDR4 SDRAM
  容量:4GB
  电压:1.1V
  数据速率:3200Mbps
  封装类型:FBGA
  引脚数:82
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

H5TQ4G43AFR-PBC具有多个显著的特性,使其非常适合于低功耗和高性能要求的应用场景。
  首先,该芯片采用低电压设计,工作电压为1.1V,有助于减少功耗,延长移动设备的电池寿命。这对于现代便携式设备来说是一个非常重要的特性。
  其次,H5TQ4G43AFR-PBC支持3200Mbps的数据传输速率,能够提供较高的内存带宽,满足高性能处理器和图形处理器的需求。这使得设备能够快速处理大量数据,提高整体系统性能。
  另外,该芯片采用FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装,具有较小的封装尺寸和良好的热性能。这种封装方式有助于提高设备的集成度,同时确保在高负载下芯片的稳定运行。
  此外,H5TQ4G43AFR-PBC支持多种低功耗模式,包括自刷新模式和深度掉电模式,可以根据系统需求动态调整功耗。这种灵活性使得芯片能够在不同使用场景下优化功耗,从而提高设备的能效。
  最后,该芯片具有较高的可靠性和稳定性,能够在-40°C至+85°C的工作温度范围内正常运行。这使得它适用于各种严苛环境下的应用,包括工业控制、车载系统和消费类电子产品。

应用

H5TQ4G43AFR-PBC广泛应用于需要高性能和低功耗的移动设备和嵌入式系统中。
  在智能手机和平板电脑中,该芯片可以作为主内存,为高性能处理器和图形处理器提供充足的内存带宽,从而提升设备的整体性能和用户体验。由于其低功耗特性,它还有助于延长设备的电池续航时间。
  在嵌入式系统中,H5TQ4G43AFR-PBC可以用于工业控制、医疗设备和智能家电等场景。这些设备通常对功耗和可靠性有较高要求,而该芯片的低功耗设计和稳定性能使其成为理想的选择。
  此外,该芯片也适用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统和驾驶辅助系统。在这些应用中,芯片需要在较宽的温度范围内稳定运行,而H5TQ4G43AFR-PBC的宽温度范围支持使其能够满足这些要求。
  对于物联网(IoT)设备,H5TQ4G43AFR-PBC的低功耗和高可靠性特性使其非常适合用于数据采集和通信模块,帮助设备在长时间运行中保持稳定和高效。

替代型号

H5TQ4G63AMR-PBC, H5TC4G63AMR-PBC, H5TQ4G63AFR-PBC

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