时间：2025/8/24 9:30:41
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FDC607AN_NL 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的高性能双N沟道增强型MOSFET场效应晶体管。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于各种高性能电源管理应用。该器件采用SOT-223封装，便于安装在空间受限的电路板上，并具有良好的散热性能。
类型：双N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：5.3A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：1.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：SOT-223
FDC607AN_NL MOSFET具有多项优异的电气和热性能特点。其低导通电阻（Rds(on)）为45mΩ，在Vgs=10V时可显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用的沟槽式技术确保了快速开关特性，适合用于高频率开关应用。SOT-223封装设计不仅节省空间，还具备良好的散热能力，确保器件在高负载下稳定运行。
此外，该MOSFET具有高电流承载能力和良好的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等应用。其±20V的栅极电压耐受能力提供了更高的驱动灵活性和可靠性。器件的封装符合RoHS环保标准，适用于现代电子设备的绿色制造要求。
FDC607AN_NL MOSFET广泛应用于多种电源管理与转换电路中。其典型应用场景包括同步整流、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统、电源开关、马达驱动电路以及便携式电子设备的功率管理模块。该器件还可用于工业控制设备、汽车电子系统和消费类电子产品中，提供高效的功率控制解决方案。
Si2302DS, FDS6675, FDV303N
