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H5TQ2G83GFR-PBC 发布时间 时间:2025/9/1 23:23:59 查看 阅读:8

H5TQ2G83GFR-PBC 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高带宽存储器(HBM, High Bandwidth Memory)类别。这款存储器芯片通常用于高性能计算、图形处理和网络设备等对内存带宽要求极高的应用中。H5TQ2G83GFR-PBC 提供了大容量与高速性能的结合,是现代高端GPU和计算加速卡的理想选择之一。

参数

容量:2GB
  类型:HBM2(High Bandwidth Memory 2)
  数据速率:2.4Gbps
  电压:1.3V
  封装类型:FCBGA
  引脚数:1024
  工作温度:0°C 至 85°C
  带宽:约 120GB/s(每个堆栈)

特性

H5TQ2G83GFR-PBC 的核心优势在于其高带宽和紧凑的封装设计。该芯片采用堆叠式封装技术(Stacked Die),通过硅通孔(TSV, Through Silicon Via)技术实现多个DRAM芯片的垂直互联,从而显著提高数据传输速率并减少PCB空间占用。此外,H5TQ2G83GFR-PBC 支持低功耗模式,有助于降低系统整体功耗。
  其2.4Gbps的数据速率使其能够满足高性能计算环境下的苛刻要求,同时其1.3V的供电设计在保证性能的同时也兼顾了能效。芯片的工作温度范围为0°C至85°C,适用于大多数工业级应用场景。
  另一个显著特点是其与HBM2标准的兼容性,使得它能够与支持HBM2的GPU或加速器配合使用,例如AMD Radeon Instinct系列和NVIDIA Tesla系列等。此外,H5TQ2G83GFR-PBC 还具备良好的散热性能,适合长时间高负载运行。

应用

H5TQ2G83GFR-PBC 主要用于高性能计算(HPC)、人工智能(AI)加速、深度学习训练与推理、图形处理器(GPU)、数据中心服务器、高端游戏显卡、网络交换设备以及需要高带宽内存的嵌入式系统。其高带宽特性使其在处理大规模并行计算任务时表现优异,特别是在图像处理、视频渲染、科学计算和大数据分析等场景中具有广泛应用。

替代型号

H5TQ1G83AFR-PBC, H5TQ2G83MFR-PBC, H5TQ4G83AFR-PBC

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