H5TQ2G83GFR-PBC 时间：2025/9/1 23:23:59 阅读：19

H5TQ2G83GFR-PBC 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽存储器（HBM, High Bandwidth Memory）类别。这款存储器芯片通常用于高性能计算、图形处理和网络设备等对内存带宽要求极高的应用中。H5TQ2G83GFR-PBC 提供了大容量与高速性能的结合，是现代高端GPU和计算加速卡的理想选择之一。

参数

容量：2GB
　　类型：HBM2（High Bandwidth Memory 2）
　　数据速率：2.4Gbps
　　电压：1.3V
　　封装类型：FCBGA
　　引脚数：1024
　　工作温度：0°C 至 85°C
　　带宽：约 120GB/s（每个堆栈）

特性

H5TQ2G83GFR-PBC 的核心优势在于其高带宽和紧凑的封装设计。该芯片采用堆叠式封装技术（Stacked Die），通过硅通孔（TSV, Through Silicon Via）技术实现多个DRAM芯片的垂直互联，从而显著提高数据传输速率并减少PCB空间占用。此外，H5TQ2G83GFR-PBC 支持低功耗模式，有助于降低系统整体功耗。
　　其2.4Gbps的数据速率使其能够满足高性能计算环境下的苛刻要求，同时其1.3V的供电设计在保证性能的同时也兼顾了能效。芯片的工作温度范围为0°C至85°C，适用于大多数工业级应用场景。
　　另一个显著特点是其与HBM2标准的兼容性，使得它能够与支持HBM2的GPU或加速器配合使用，例如AMD Radeon Instinct系列和NVIDIA Tesla系列等。此外，H5TQ2G83GFR-PBC 还具备良好的散热性能，适合长时间高负载运行。

应用

H5TQ2G83GFR-PBC 主要用于高性能计算（HPC）、人工智能（AI）加速、深度学习训练与推理、图形处理器（GPU）、数据中心服务器、高端游戏显卡、网络交换设备以及需要高带宽内存的嵌入式系统。其高带宽特性使其在处理大规模并行计算任务时表现优异，特别是在图像处理、视频渲染、科学计算和大数据分析等场景中具有广泛应用。