类型：双肖特基二极管阵列
　　配置：共阴极
　　封装形式：SOT-23
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：30 V
　　最大直流阻断电压（VR）：30 V
　　最大平均整流电流（IO）：200 mA
　　每二极管最大正向浪涌电流（IFSM）：0.5 A
　　最大正向电压（VF）：0.48 V @ 10 mA；0.58 V @ 100 mA
　　最大反向漏电流（IR）：0.1 μA @ 25°C，25 V；500 μA @ 125°C，25 V
　　反向恢复时间（trr）：典型值5 ns
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-65 °C 至 +150 °C

76RSB02T的核心特性之一是其采用的肖特基势垒结构，这种结构利用金属-半导体接触形成势垒，而非传统PN结，因此在正向偏置下具有显著更低的正向导通压降。这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它可以直接减少能量损耗，延长设备运行时间。例如，在便携式消费电子产品如智能手机、蓝牙耳机或可穿戴设备中，电源管理系统对效率要求极高，使用76RSB02T可以有效降低电压转换过程中的功耗。此外，由于其低VF特性，该器件在小电流信号检测和钳位应用中也表现出色，能够精确控制信号电平而不引入较大的压降误差。
　　另一个关键优势是其快速的开关速度。肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不涉及少数载流子的存储效应，因此其反向恢复时间极短，典型值仅为5ns。这使得76RSB02T非常适合用于高频开关电路，如开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器中的续流或箝位二极管，以及高频信号整流和解调应用。在这些场景中，传统整流二极管因较长的反向恢复时间可能导致额外的开关损耗和电磁干扰，而76RSB02T则能有效避免此类问题，提升系统整体效率与稳定性。
　　该器件还具备优异的温度稳定性。其最大反向漏电流在高温下虽有所增加，但在正常工作范围内仍保持在可接受水平。同时，宽达-55°C至+150°C的工作结温范围使其适用于工业级和汽车级应用场景。SOT-23封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且具有良好的散热性能，便于在高密度布局中使用。此外，该封装符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对绿色环保的要求。综合来看，76RSB02T凭借其低功耗、高速度、小尺寸和高可靠性，成为众多精密电子系统中不可或缺的关键元件。

76RSB02T广泛应用于各类需要高效、小型化整流与信号处理功能的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，它常被用作电池充电管理电路中的防反接二极管或电源路径切换元件，利用其低正向压降减少能量损失，提高续航能力。在USB供电接口、移动电源、智能手表和无线耳机等设备中，该器件可用于电源隔离和负载切换控制。
　　在通信与数据传输领域，76RSB02T因其快速响应特性，适用于信号整流、高频检波和ESD保护电路。例如，在射频识别（RFID）标签读写器或近场通信（NFC）模块中，它可以作为检波二极管实现信号解调功能。同时，其低结电容也有助于减少对高频信号路径的影响。
　　在电源管理系统中，76RSB02T常用于DC-DC转换器的同步整流辅助电路或作为续流二极管，防止电感反冲电压损坏主控芯片。在低压差线性稳压器（LDO）的输入输出端，也可用于反向电压保护。
　　此外，该器件还可应用于工业传感器信号调理电路、汽车电子中的低功率电源模块以及各类嵌入式控制系统中的逻辑电平转换与钳位保护。由于其高可靠性与宽温工作能力，76RSB02T也适用于汽车电子、工业自动化和医疗电子等对长期稳定性要求较高的领域。

MBR0230T1G
　　SMS7618-30
　　BAT54C
　　RB520S30
　　DMK14DUS