时间：2025/9/1 12:11:25
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H5TQ2G83FFR-PBA 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片是一款高性能、低功耗的移动DRAM存储器，专为移动设备和嵌入式应用设计。H5TQ2G83FFR-PBA采用先进的FBGA封装技术，具备较高的存储密度和稳定性，适用于智能手机、平板电脑、便携式游戏设备等对功耗和体积有较高要求的应用场景。
类型：DRAM
容量：2Gb
组织结构：x8, x16
封装类型：FBGA
引脚数：54
工作电压：1.7V - 3.6V
接口类型：异步
最大访问时间：55ns
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
制造厂商：SK Hynix
H5TQ2G83FFR-PBA具备多项优异特性，确保其在多种应用场景下稳定可靠运行。首先，该芯片采用异步接口设计，使得数据访问更加灵活，适用于多种控制器架构。其次，其宽电压范围（1.7V - 3.6V）使其能够适应不同电源管理方案，提高系统兼容性。此外，该DRAM芯片支持低功耗模式，有助于延长移动设备的电池续航时间。
该芯片的FBGA封装技术不仅减小了整体尺寸，还提升了散热性能和电气特性，使其在高频操作下仍能保持稳定。H5TQ2G83FFR-PBA在工业级温度范围（-40°C至+85°C）内运行，确保其在恶劣环境条件下的可靠性。此外，其高集成度和成熟工艺使其成为众多嵌入式系统和消费类电子产品的理想选择。
H5TQ2G83FFR-PBA广泛应用于多种电子设备和系统中，尤其是在对功耗和空间有严格要求的移动设备中。典型应用包括智能手机、平板电脑、便携式游戏机、智能穿戴设备以及工业控制和通信设备。由于其低功耗特性和宽电压支持，该芯片也适用于需要长时间运行和电池供电的物联网（IoT）设备。此外，H5TQ2G83FFR-PBA还可用于网络设备、多媒体播放器、车载娱乐系统等产品中，为系统提供高效可靠的存储支持。
H5TQ2G83MFR-PBC, H5TQ1G83FFR-PBC, H5TQ2G83EFR-PBA
