QST1108SH0 是一款由ONSEMI(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管专为高频率和高功率应用而设计,适用于射频(RF)功率放大器、无线基础设施、工业设备以及广播设备等高要求的电子系统。QST1108SH0采用先进的制造工艺,具有良好的热稳定性和可靠性,能够在较高的工作频率下保持优异的性能。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流(Ic):15 A
最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
最大集电极-基极电压(Vcb):50 V
最大功耗(Ptot):300 W
最大工作频率(fT):250 MHz
封装类型:TO-247
增益带宽积:250 MHz
电流增益(hFE):在Ic=1 A时为50-300(具体值取决于工作条件)
QST1108SH0 的主要特性之一是其出色的高频性能,使其在射频功率放大应用中表现出色。该晶体管的fT(过渡频率)高达250 MHz,意味着在高频工作条件下仍能保持较高的电流增益。此外,QST1108SH0具有较高的最大集电极电流(15 A)和最大功耗(300 W),能够处理较大的功率负载,适用于需要高输出功率的系统。
该晶体管采用TO-247封装,具有良好的散热性能,有助于在高功率运行时保持较低的结温,从而提高器件的可靠性和寿命。其高热稳定性和低饱和压降(Vce_sat)进一步增强了其在高功率放大器中的适用性。
此外,QST1108SH0的电流增益(hFE)范围较宽,可根据具体应用需求选择不同的工作点,提供更高的设计灵活性。其在Ic=1 A时的hFE值在50至300之间,使得该晶体管适用于多种放大电路配置,如共射放大器、推挽放大器和D类放大器等。
QST1108SH0 主要用于射频功率放大器,特别是在无线通信基站、广播发射机、工业加热设备以及测试和测量仪器中。由于其高频特性和高功率处理能力,它非常适合用于UHF(超高频)和VHF(甚高频)频段的功率放大应用。
在无线通信系统中,QST1108SH0可以作为线性放大器使用,以确保信号的高保真传输。在广播设备中,该晶体管可用于音频功率放大,提供高保真的声音输出。此外,它也常用于工业控制系统的功率开关电路,以及需要高电流和高频率操作的电源转换设备。
QST1108SH0的替代型号包括QST1108SG、QST1108SH、QST1108S