H5TQ2G83DFR-H9C 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于移动型LPDDR4系列。这款存储器芯片设计用于高性能便携式设备,如智能手机、平板电脑和嵌入式系统,提供高速数据访问和低功耗运行能力。
类型:DRAM
电压:1.1V
容量:2Gb(256MB)
封装:153-ball FBGA
数据速率:3200Mbps
工作温度:-40°C至+85°C
接口:LPDDR4
带宽:32位
封装尺寸:9mm x 13mm
H5TQ2G83DFR-H9C 采用先进的DRAM制造工艺,具备低功耗特性,适合移动设备使用。其LPDDR4接口提供高速数据传输能力,支持高达3200Mbps的数据速率,满足高性能处理器的需求。该芯片采用紧凑的153-ball FBGA封装,占用空间小,便于在高密度PCB设计中使用。此外,其支持自动刷新和自刷新功能,有助于在保持数据完整性的同时降低功耗。
该芯片还具备出色的稳定性和可靠性,适用于各种严苛环境下的工作条件。其支持多种突发长度模式和多种刷新模式,使得在不同应用场景下可以灵活配置。H5TQ2G83DFR-H9C 还集成了温度传感器功能,可监测芯片温度并自动调整工作参数,确保设备运行的稳定性。
该芯片主要应用于高性能便携设备,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式游戏机和嵌入式计算设备。此外,它也适用于需要高带宽和低功耗内存的系统,如图形处理模块、AI加速器和高端物联网设备。由于其高性能和低功耗特性,H5TQ2G83DFR-H9C 也可用于工业控制、车载信息娱乐系统和智能摄像头等应用。
H5TQ2G83EFR-H92C, H5TC4G63AMR-PBA, H9HP53A8MJR82M