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H5TQ2G83BFR RDC 发布时间 时间:2025/9/1 11:31:34 查看 阅读:7

H5TQ2G83BFR RDC 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款芯片属于高带宽存储器(HBM, High Bandwidth Memory)类别,广泛应用于高性能计算、图形处理和人工智能等领域。H5TQ2G83BFR RDC的封装形式为FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array),具备高性能和低功耗的特点。该芯片的容量为2GB,工作频率高达800MHz,支持快速数据传输,适用于需要大量数据处理的应用场景。

参数

容量:2Gbit
  类型:DRAM
  封装:FBGA
  频率:800MHz
  电压:1.8V
  数据宽度:32位
  工作温度:-40°C至85°C
  接口类型:并行接口
  封装尺寸:12mm x 14mm

特性

H5TQ2G83BFR RDC具备多个高性能特性,使其在现代电子系统中具有广泛的应用价值。首先,它的工作频率高达800MHz,提供快速的数据传输速率,满足高性能计算和高速数据处理的需求。其次,该芯片采用低电压设计,工作电压为1.8V,有助于降低功耗并提高能效,适用于对功耗敏感的设备。
  此外,H5TQ2G83BFR RDC采用FBGA封装技术,具有较小的封装尺寸(12mm x 14mm),适合高密度PCB布局,并且具备良好的散热性能。该芯片的并行接口设计支持高效的数据传输,适用于需要大量数据吞吐的应用场景,如图形处理器(GPU)、网络设备和嵌入式系统。
  其工作温度范围为-40°C至85°C,能够在恶劣的环境条件下稳定运行,适用于工业级和汽车电子应用。H5TQ2G83BFR RDC还具备良好的信号完整性和抗干扰能力,确保在高速运行时的数据可靠性。

应用

H5TQ2G83BFR RDC主要应用于需要高性能存储和高速数据处理的电子设备。常见的应用包括图形处理器(GPU)、人工智能加速器、网络交换设备、服务器内存模块、嵌入式系统和工业控制设备。由于其高带宽和低功耗特性,该芯片也广泛应用于汽车电子系统、医疗成像设备和高端消费电子产品。

替代型号

H5TC4G63FFR RDC

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