容量：2Gbit（256MB）
　　组织结构：x16位宽
　　电压：1.35V（低电压设计）
　　接口类型：DDR3 SDRAM
　　时钟频率：最高可达800MHz（等效1600Mbps）
　　封装类型：FBGA（细间距球栅阵列）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　数据预取：8n预取架构
　　封装尺寸：9mm x 13mm

H5TQ2G63GFR-RDCR DDR3 SDRAM芯片采用了先进的制造工艺，具备出色的性能和稳定性。其低电压设计（1.35V）不仅降低了功耗，还减少了发热量，使得该芯片在电池供电设备中也能表现出色。此外，该芯片支持多种刷新模式，包括自动刷新和自刷新，确保了数据的可靠性和完整性。H5TQ2G63GFR-RDCR还支持多种突发长度和突发类型，提高了数据传输的灵活性。其FBGA封装提供了良好的电气性能和热管理能力，适用于高密度PCB布局。
　　在功能方面，H5TQ2G63GFR-RDCR支持多种工作模式，包括正常模式、低功耗模式和深度掉电模式，用户可以根据具体应用场景选择最合适的模式以优化功耗。此外，该芯片还支持ZQ校准功能，能够自动调整输出驱动阻抗，确保信号完整性。H5TQ2G63GFR-RDCR的时序参数（如CL、tRC、tRCD等）均可通过模式寄存器进行配置，允许用户根据系统需求进行优化。

H5TQ2G63GFR-RDCR广泛应用于需要高性能存储的嵌入式系统和计算设备中，例如智能手机、平板电脑、网络设备、工业控制系统、汽车电子系统以及消费类电子产品。由于其低功耗特性和高数据传输速率，该芯片也非常适合用于需要长时间运行和高效能处理的设备，如IoT（物联网）终端、边缘计算设备以及高性能图像处理系统。

H5TQ2G63AFR-RDCR, H5TQ2G63MMR-RDC