LMBTH10LT1G 是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件广泛应用于通用开关和放大电路中,具有较高的可靠性和稳定性。LMBTH10LT1G 采用SOT-23封装,适合表面贴装工艺,适用于消费电子、工业控制和汽车电子等多个领域。
晶体管类型:NPN
最大集电极-发射极电压(VCEO):50V
最大集电极电流(IC):200mA
最大功率耗散(PD):300mW
电流增益(hFE):110-800(取决于测试条件)
过渡频率(fT):100MHz
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:SOT-23
LMBTH10LT1G 具备良好的电气性能和稳定的增益特性,使其在多种应用中表现出色。其最大集电极-发射极电压为50V,能够支持中等电压应用场景,同时最大集电极电流为200mA,适用于中小功率的开关和放大电路。
该晶体管的电流增益(hFE)范围较宽,从110到800,具体数值取决于工作电流和电压条件,这使得它在不同设计需求下具有较高的灵活性。此外,过渡频率(fT)为100MHz,表明其在高频应用中也具备良好的响应能力。
LMBTH10LT1G 采用SOT-23小型封装,尺寸紧凑,适合高密度PCB布局。其表面贴装特性有助于提高生产效率和可靠性,同时在汽车电子应用中也能满足严格的环境要求。
该器件的工作温度范围为-55°C至150°C,具备较强的耐温能力,能够在恶劣环境中稳定工作。最大功率耗散为300mW,确保在正常操作条件下不会因过热而损坏。
LMBTH10LT1G 主要用于各种通用开关和放大电路的设计。在数字电路中,它可以作为开关元件,用于驱动LED、继电器或其他低功耗负载。在模拟电路中,该晶体管可用于音频放大、信号处理和电压调节等应用。
此外,由于其较高的可靠性和宽工作温度范围,LMBTH10LT1G 常用于汽车电子系统,如车身控制模块、传感器接口和车载娱乐系统。在工业自动化和控制系统中,该晶体管也可用于电机驱动、信号转换和电源管理等场景。
其高频特性也使其适用于RF前端模块、无线通信设备和低噪声放大器等应用。同时,SOT-23封装形式使其成为便携式设备和高密度电路板的理想选择。
MMBT3904LT1G, BC847, 2N3904