LMBTH10LT1G 时间：2025/8/14 2:52:26 阅读：33

LMBTH10LT1G 是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件广泛应用于通用开关和放大电路中，具有较高的可靠性和稳定性。LMBTH10LT1G 采用SOT-23封装，适合表面贴装工艺，适用于消费电子、工业控制和汽车电子等多个领域。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：200mA
　　最大功率耗散（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

LMBTH10LT1G 具备良好的电气性能和稳定的增益特性，使其在多种应用中表现出色。其最大集电极-发射极电压为50V，能够支持中等电压应用场景，同时最大集电极电流为200mA，适用于中小功率的开关和放大电路。
　　该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，从110到800，具体数值取决于工作电流和电压条件，这使得它在不同设计需求下具有较高的灵活性。此外，过渡频率（fT）为100MHz，表明其在高频应用中也具备良好的响应能力。
　　LMBTH10LT1G 采用SOT-23小型封装，尺寸紧凑，适合高密度PCB布局。其表面贴装特性有助于提高生产效率和可靠性，同时在汽车电子应用中也能满足严格的环境要求。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，具备较强的耐温能力，能够在恶劣环境中稳定工作。最大功率耗散为300mW，确保在正常操作条件下不会因过热而损坏。

应用

LMBTH10LT1G 主要用于各种通用开关和放大电路的设计。在数字电路中，它可以作为开关元件，用于驱动LED、继电器或其他低功耗负载。在模拟电路中，该晶体管可用于音频放大、信号处理和电压调节等应用。
　　此外，由于其较高的可靠性和宽工作温度范围，LMBTH10LT1G 常用于汽车电子系统，如车身控制模块、传感器接口和车载娱乐系统。在工业自动化和控制系统中，该晶体管也可用于电机驱动、信号转换和电源管理等场景。
　　其高频特性也使其适用于RF前端模块、无线通信设备和低噪声放大器等应用。同时，SOT-23封装形式使其成为便携式设备和高密度电路板的理想选择。