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H5TQ2G63GFR-PBA 发布时间 时间:2025/9/1 20:03:35 查看 阅读:6

H5TQ2G63GFR-PBA 是由 SK Hynix(海力士)公司生产的一款高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于移动式低功耗DRAM(LPDRAM)类别,专为移动设备、嵌入式系统和其他低功耗应用场景设计。该芯片采用BGA(球栅阵列)封装,具有较高的存储密度和较低的功耗特性。

参数

容量:2 Gb(256 MB)
  类型:LPDRAM2(低功耗双倍数据速率2代)
  电压:1.5V/1.8V 多电源支持
  封装:134-ball BGA
  数据速率:高达 200MHz
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  组织结构:x16
  刷新方式:自动刷新/自刷新
  时钟频率:166MHz - 200MHz

特性

H5TQ2G63GFR-PBA 具有多个显著的性能特点,首先是其低功耗特性,这使其非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对能耗敏感的设备。该芯片支持自动刷新和自刷新模式,能够在保持数据完整性的同时最大限度地降低功耗。此外,该芯片采用了先进的CMOS工艺制造,确保了在高速运行下的稳定性和可靠性。
  其次,该芯片的封装设计紧凑,采用134-ball BGA封装形式,便于在高密度PCB布局中使用,同时提升了散热性能。其工作电压支持1.5V和1.8V,具有良好的电压适应性,适用于不同平台的电源管理方案。
  再者,H5TQ2G63GFR-PBA 支持多种工作模式,包括突发读写模式、预充电模式以及低功耗待机模式,能够根据系统需求动态调整功耗和性能,从而优化整体系统效率。

应用

H5TQ2G63GFR-PBA 广泛应用于各类嵌入式系统和便携式电子设备中,包括但不限于智能手机、平板电脑、智能手表、物联网(IoT)设备、车载娱乐系统以及工业控制设备。由于其低功耗和高性能的特性,它也常被用于需要快速数据访问和高稳定性的应用场景,如图形处理、缓存存储以及实时数据处理等。

替代型号

H5TQ2G63AFR-PBA, H5TQ2G63MFR-PBA, MT48LC16M2A2B4-2B, K4T51163QF-LC

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