KTC3875ALG 时间：2025/8/17 0:57:32 阅读：4

KTC3875ALG 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流容量和优良的热稳定性，适用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关以及电池管理系统等场景。KTC3875ALG采用紧凑的封装形式（如SOP或DFN封装），适合高密度PCB布局，具备良好的散热性能。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：30V
　　最大栅极电压（VGSS）：±20V
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为12mΩ（在VGS=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：约26nC
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

KTC3875ALG具有多个关键特性，使其在功率管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。在VGS=10V时，RDS(on)仅为12mΩ，这使得该MOSFET在高电流条件下仍能保持较低的功耗。
　　其次，该器件采用了先进的沟槽式（Trench）MOSFET结构，优化了电场分布，提高了器件的击穿电压稳定性，并增强了抗静电能力（ESD）。此外，KTC3875ALG的封装设计具有良好的散热性能，有助于在高功率密度应用中维持稳定的温度表现。
　　该MOSFET还具有较高的栅极稳定性，支持宽范围的栅极驱动电压（通常为4.5V至20V），适用于多种驱动电路，包括使用PWM（脉宽调制）控制的电源管理方案。此外，其快速开关特性减少了开关损耗，提升了动态响应能力，适用于高频开关应用。
　　最后，KTC3875ALG符合RoHS环保标准，无铅封装，适用于工业和消费类电子产品的绿色制造要求。

应用

KTC3875ALG广泛应用于多种电源管理系统和功率控制设备中。其主要应用场景包括：DC-DC转换器，用于笔记本电脑、服务器、通信设备等的电源模块；同步整流器，用于提高开关电源的转换效率；负载开关电路，用于控制电池供电设备的电源通断；以及电机驱动电路中的高侧或低侧开关。
　　此外，该MOSFET也常用于便携式电子设备中的电池管理系统（BMS），实现对充放电过程的高效控制。由于其具备高电流承载能力和良好的热稳定性，KTC3875ALG也非常适合用于高功率LED驱动电路和电源适配器中。
　　在汽车电子系统中，该器件可用于车载充电器、电动工具、智能电表等需要高可靠性和高效率的场合。