H5TQ2G63FFR 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高带宽存储器类别,常用于高性能计算、图形处理、人工智能加速以及服务器等对内存带宽要求极高的应用场景。这款芯片采用先进的堆叠封装技术,具有较高的数据传输速率和能效。
型号:H5TQ2G63FFR
制造商:SK Hynix
内存类型:DRAM
封装类型:BGA
数据速率:高达3.2 Gbps
位宽:x64
电压:1.2V
接口:HBM2(High Bandwidth Memory 2)
容量:2GB
工作温度范围:0°C 至 95°C
H5TQ2G63FFR 是一款基于HBM2标准的高性能DRAM芯片,具有以下几个显著特性:
首先,它采用了高带宽内存(HBM2)技术,使得内存带宽大幅提升,适用于需要极高数据吞吐能力的应用,如GPU、AI加速器、高端游戏主机和数据中心服务器等。
其次,该芯片采用了3D堆叠封装技术,多个DRAM芯片通过硅通孔(TSV)技术垂直连接,从而在有限的PCB空间内实现更高的存储密度和更快的数据传输速度。
此外,H5TQ2G63FFR 的工作电压为1.2V,相比传统的GDDR5或DDR4内存,功耗更低,能效更高,有助于减少系统发热并提升整体能效。
其接口符合HBM2标准,支持多通道并行传输,进一步提升数据吞吐量。每个通道可以独立工作,具备错误校正(ECC)功能,提高数据传输的可靠性。
最后,该芯片具备良好的散热设计,能够在0°C至95°C的温度范围内稳定运行,适应各种严苛的工作环境。
H5TQ2G63FFR 主要应用于需要高带宽内存的高性能计算系统中。例如,在图形处理单元(GPU)中,该芯片可以作为显存,显著提升图形渲染速度和游戏性能;在人工智能和机器学习领域,该内存芯片可以为深度学习模型提供快速的数据访问能力,加快训练和推理过程;在数据中心和服务器中,H5TQ2G63FFR 可用于加速数据库处理、云计算和虚拟化应用;此外,该芯片也适用于高端游戏主机、高性能计算(HPC)设备以及网络交换设备等领域。
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