容量：256MB
　　类型：DRAM
　　组织结构：2Gbit x16
　　工作电压：1.8V
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：54-ball FBGA
　　数据速率：166MHz / 200MHz
　　数据宽度：16位
　　刷新周期：64ms
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

H5TQ2G63DFR11C 芯片具有多项高性能特性，确保其在各种应用场景中的稳定性和可靠性。首先，它采用低电压设计（1.8V），有效降低功耗，延长设备的电池寿命，适用于便携式电子设备。其次，该芯片支持高速数据传输，最高数据速率达到200MHz，满足高带宽应用的需求。此外，H5TQ2G63DFR11C 采用54-ball FBGA封装，具有良好的散热性能和较小的封装尺寸，适合空间受限的电路设计。其64ms的自动刷新周期保证了数据的长期稳定性，而宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种严苛的环境条件。
　　该芯片还具备良好的兼容性，支持多种控制器和主芯片平台，能够无缝集成到不同的系统架构中。同时，H5TQ2G63DFR11C 采用先进的CMOS工艺制造，具有较高的抗干扰能力和较低的漏电流，进一步提升了整体系统的稳定性。

H5TQ2G63DFR11C 广泛应用于各种高性能电子设备中，包括智能手机、平板电脑、数码相机、智能穿戴设备、工业控制设备、网络通信设备以及汽车电子系统。在移动设备中，该芯片作为主存或缓存使用，支持多任务处理和快速响应；在工业控制系统中，它为数据存储和临时缓存提供可靠支持；在网络设备中，该芯片可作为高速缓存，提高数据传输效率；在汽车电子系统中，其宽温特性和高可靠性使其适用于车载信息娱乐系统和驾驶辅助系统。

H5TQ2G63EFR11C, H5TQ2G63FFR11C, H5TQ2G63GFR11C