时间：2025/9/2 11:21:57
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H5TQ2G63DFR-11C 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、低功耗的移动存储解决方案。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第4代）系列，具有较高的数据传输速率和能效，适用于移动设备、平板电脑、嵌入式系统等对功耗和性能要求较高的应用场景。
容量：2Gb（256MB）
架构：x64
电压：1.1V
接口：LPDDR4
封装：153-ball BGA
工作温度：-40°C ~ +85°C
数据速率：3200Mbps
时钟频率：1600MHz
组织结构：256M x 8 / 128M x 16
封装尺寸：9.3mm x 11.5mm x 0.8mm
H5TQ2G63DFR-11C 采用了先进的DRAM制造工艺，具备出色的低功耗特性，特别适用于移动设备的高性能需求。其LPDDR4接口支持双倍数据速率传输，使得数据带宽显著提升，从而提高系统整体性能。此外，该芯片内置多种节能模式，包括自刷新模式（Self-Refresh）和深度掉电模式（Deep Power Down），可有效延长设备电池寿命。
该芯片支持多种突发长度模式（Burst Length），允许灵活配置数据传输方式，以适应不同应用场景的需求。H5TQ2G63DFR-11C 还具备高可靠性设计，能够在宽温度范围内稳定工作（-40°C 至 +85°C），适用于工业级和消费级电子产品。
在封装方面，H5TQ2G63DFR-11C 采用153-ball BGA封装形式，体积小巧，便于在空间受限的设备中集成。其高速接口设计支持高达3200Mbps的数据传输速率，满足现代高性能处理器对内存带宽的需求。
H5TQ2G63DFR-11C 主要用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统、工业控制设备以及需要高性能低功耗内存的电子设备中。该芯片特别适合需要高数据吞吐量和长时间续航能力的移动设备，如智能穿戴设备、便携式媒体播放器等。此外，它也可用于网络设备、汽车电子系统和物联网（IoT）设备中，提供高效稳定的内存支持。
H5TQ2G63GFR-11C, H5TQ1G63GFR-11C, H5TQ2G63JFR-11C
