时间：2025/6/20 18:52:41
阅读：2
HH18N222J160CT 是一款高性能的 N 沷道 MOSFET 芯片，适用于高频开关电源、电机驱动、逆变器以及其他高功率应用场合。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度，从而提高了效率并降低了功耗。
该型号属于高压 MOSFET 类别，设计用于承受高电压和大电流的工作条件，同时具备良好的热稳定性和可靠性，确保在严苛环境下的长期运行。
最大漏源电压：160V
连续漏极电流：22A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：120nC
开关频率：500kHz
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-247
HH18N222J160CT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（1.6mΩ），减少了导通损耗，适合高功率密度设计。
2. 快速开关性能，支持高达 500kHz 的开关频率，满足高频应用需求。
3. 高击穿电压（160V）和大电流能力（22A），保证了在复杂电路中的稳定性。
4. 内置 ESD 能力。
5. 广泛的工作温度范围（-55℃ 至 175℃），适应各种恶劣环境。
6. 封装为 TO-247，便于散热和安装，同时提供了良好的机械强度。
这些特性使 HH18N222J160CT 成为工业和消费类电子产品的理想选择。
HH18N222J160CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 太阳能逆变器和储能系统。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 高效 LED 驱动器。
6. 电动车和混合动力车的动力系统。
由于其高效率和可靠性，这款芯片能够显著降低系统的整体能耗，并提高性能。
IRFP260N
STP220N16
FDP18N16C
