时间：2025/9/2 5:14:03
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H5TQ2G63BFR-H9CR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第4代）系列，广泛应用于高性能移动设备、智能终端、嵌入式系统等领域，提供高速数据存储与处理能力。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺，具备高密度存储、低功耗和优异的稳定性。
容量：2GB
类型：LPDDR4 SDRAM
封装类型：FBGA
数据速率：3200Mbps
电压：1.1V
行地址位数：15位
列地址位数：10位
刷新周期：64ms
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
H5TQ2G63BFR-H9CR 采用先进的LPDDR4技术，具有高速数据传输能力和低功耗特性，适用于对能效和性能有高要求的应用场景。
其3200Mbps的数据速率可显著提升系统运行效率，支持快速数据访问和处理。
该芯片的工作电压为1.1V，相较于前代LPDDR3芯片，功耗进一步降低，有助于延长移动设备的电池续航时间。
封装形式为FBGA（细间距球栅阵列），提供了良好的电气性能和散热能力，适用于紧凑型电路设计。
此外，H5TQ2G63BFR-H9CR 支持自动刷新、自刷新、温度补偿刷新等多种刷新机制，确保数据的稳定性和可靠性。
其工作温度范围为-40°C至+85°C，适应多种复杂环境下的稳定运行。
H5TQ2G63BFR-H9CR 主要应用于高性能智能手机、平板电脑、嵌入式系统、汽车电子、工业控制设备等对存储性能和功耗有较高要求的电子设备中。
该芯片适用于需要高速数据处理和大容量内存的场景，例如图形处理、视频解码、多任务处理等。
由于其低功耗特性，也广泛用于便携式设备，如智能穿戴设备、无人机和物联网设备，以提升能效并延长使用时间。
在汽车电子领域，该芯片可用于车载信息娱乐系统、ADAS（高级驾驶辅助系统）等，提供稳定可靠的数据存储和处理能力。
同时，其宽温特性和高稳定性也使其适用于工业自动化控制、通信设备等严苛环境中的应用。
H5TQ2G63AFR-H92C, H5TQ2G63FFR-H92A, H5TQ1G63MFR-H92C
